Spécifications techniques du produit
RoHS (Union Européenne)
Compliant
ECCN (États-Unis)
EAR99
Statut de pièce
Active
Code HTS
8541.29.00.55
Automotive
Unknown
PPAP
Unknown
Catégorie
Power MOSFET
Configuration
Dual Dual Drain
Mode canal
Enhancement
Type de canal
N
Nombre d'éléments par puce
2
Tension drain-source maximale (V)
40
Tension minimale de source barrière (V)
±20
Courant de drain continu maximal (A)
6
Résistance maximale de source de drainage (mOhm)
30@10V
Charge de barrière type @ Vgs (nC)
4.3@4.5V|8.9@10V
Charge de barrière type @ 10V (nC)
8.9
Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)
516@20V
Dissipation de puissance maximale (mW)
2000
Temps de descente type (ns)
6.6
Temps de montée type (ns)
3.6
Délai type de mise à l'arrêt (ns)
16.2
Délai type de mise en marche (ns)
6.4
Température de fonctionnement minimale (°C)
-55
Température de fonctionnement maximale (°C)
150
Emballage
Tape and Reel
Résistance type à une source de drainage @ 25°C (mOhm)
24@10V|30@4.5V
Installation
Surface Mount
Hauteur du paquet
1.5
Largeur du paquet
3.9
Longueur du paquet
4.9
Carte électronique changée
8
Nom de lemballage standard
SO
Conditionnement du fournisseur
SOIC
Décompte de broches
8
Forme de sonde
Gull-wing
Quantité de commande