MOSFET

2SK2967(F)

Trans MOSFET N-CH Si 250V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN

Toshiba

Spécifications techniques du produit

• RoHS EU

  Compliant

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Obsolete

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Kategorie

  Power MOSFET

• Material

  Si

• Konfiguration

  Single

• Kanalmodus

  Enhancement

• Kanalart

  N

• Anzahl von Elementen pro Chip

  1

• Max. Drain-Source-Spannung (V)

  250

• Max. Gate-Source-Spannung (V)

  ±20

• Max. Dauer-Drain-Strom (A)

  30

• Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)

  68@10V

• Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)

  132@10V

• Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)

  132

• Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)

  5400@10V

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  150000

• Typische Abfallzeit (ns)

  35

• Typische Anstiegszeit (ns)

  20

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -55

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  150

• Befestigung

  Through Hole

• Verpackungshöhe

  19

• Verpackungsbreite

  4.5

• Verpackungslänge

  15.9(Max)

• Leiterplatte geändert

  3

• Tab

  Tab

• Standard-Verpackungsname

  TO

• Lieferantenverpackung

  TO-3PN

• Stiftanzahl

  3