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GP BJT

2SAR512RTL

Trans GP BJT PNP 30V 2A 1000mW 3-Pin TSMT T/R

ROHM Semiconductor
Fiches techniques 

Spécifications techniques du produit
  • RoHS (Union Européenne)
    Compliant
  • ECCN (États-Unis)
    EAR99
  • Statut de pièce
    Active
  • Automotive
    No
  • PPAP
    No
  • Type
    PNP
  • Catégorie
    Bipolar Power
  • Configuration
    Single
  • Nombre d'éléments par puce
    1
  • Tension de base maximale du collecteur (V)
    30
  • Tension collecteur-émetteur maximale (V)
    30
  • Tension de base maximale de l'émetteur (V)
    6
  • Tension de saturation maximale de collecteur-émetteur (V)
    0.4@35mA@700mA
  • Courant collecteur CC maximal (A)
    2
  • Courant de coupure de collecteur maximal (nA)
    1000
  • Gain de courant CC minimal
    200@100mA@2V
  • Dissipation de puissance maximale (mW)
    1000
  • Température de fonctionnement minimale (°C)
    -55
  • Température de fonctionnement maximale (°C)
    150
  • Installation
    Surface Mount
  • Hauteur du paquet
    0.95(Max)
  • Largeur du paquet
    1.8(Max)
  • Longueur du paquet
    3(Max)
  • Carte électronique changée
    3
  • Conditionnement du fournisseur
    TSMT
  • Décompte de broches
    3
  • Forme de sonde
    Gull-wing

Documentation et ressources

Fiches techniques
Ressources de conception