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MOSFET

2N7002K

Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

onsemi
Fiches techniques 

Spécifications techniques du produit
  • RoHS (Union Européenne)
    Compliant
  • Statut de pièce
    Active
  • Automotive
    No
  • PPAP
    No
  • Catégorie
    Small Signal
  • Configuration
    Single
  • Mode canal
    Enhancement
  • Type de canal
    N
  • Nombre d'éléments par puce
    1
  • Tension drain-source maximale (V)
    60
  • Tension minimale de source barrière (V)
    ±20
  • Tension seuil de barrière maximale (V)
    2.5
  • Courant de drain continu maximal (A)
    0.3
  • Courant de fuite maximal de source de barrière (nA)
    10000
  • IDSS maximal (uA)
    1
  • Résistance maximale de source de drainage (mOhm)
    2000@10V
  • Charge de barrière type @ Vgs (nC)
    0.7@10V
  • Charge de barrière type @ 10V (nC)
    0.7
  • Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)
    50(Max)@25V
  • Dissipation de puissance maximale (mW)
    350
  • Délai type de mise à l'arrêt (ns)
    30(Max)
  • Délai type de mise en marche (ns)
    5(Max)
  • Température de fonctionnement minimale (°C)
    -55
  • Température de fonctionnement maximale (°C)
    150
  • Emballage
    Tape and Reel
Quantité de commande

Documentation et ressources

Fiches techniques
Ressources de conception