La mémoire vive non volatile (NVRAM) fait référence à toute technologie de mémoire qui conserve les données lorsqu'elle est hors tension. Elle n'inclut généralement pas les dispositifs de stockage électromécaniques, tels que les lecteurs de disque dur. Le dispositif NVRAM le plus courant de nos jours est la mémoire Flash.

Historiquement, les dispositifs NVRAM avaient pris du retard par rapport à la mémoire volatile, en termes de vitesse et de performances. Bien que cet écart ait été considérablement réduit par la mémoire Flash, il y a encore matière à amélioration. L'aspect le plus préoccupant est la performance relativement faible de la mémoire Flash en termes d'écriture (dizaines de microsecondes) par rapport à la DRAM (dizaines de nanosecondes) et à la SRAM (nanosecondes). De plus, une grille flottante accepte un nombre approximatif d'écritures avant de ne plus être fiable. Ce phénomène, appelé "endurance d'écriture", est variable : il peut aller de quelques milliers de cycles à plus d'un million, suivant la technologie Flash.

En dehors de Flash, d'autres technologies NVRAM sont disponibles, mais celles-ci sont à la traîne en termes de capacités et de coût. La mémoire RAM ferroélectrique (FeRAM) utilise des champs électriques pour orienter le moment de dipôle d'un film mince. La RAM magnétique (MRAM) stocke les informations en contrôlant la rotation de l'électron qui a une incidence sur la résistance lorsqu'elle effectue des lectures. La mémoire à changement de phase (PRAM) fait appel à la même technologie que les DVD et CD enregistrables, à la différence que les lectures de la PRAM permettent également de détecter la variation de résistance.