Les TFT, ou thin film transistors, sont un type particulier de transistor à effet de champ qui modifie la conception normale d'un appareil FET. Les TFT sont créés en déposant un matériau de canal sur un isolant, qui est dans la plupart des cas une forme de verre. Le matériau déposé est généralement du silicium, qui est normalement la structure de base sur laquelle sont construits les appareils FET non TFT. Sur cette fine couche de dépôt en silicium est construit le reste du transistor, dont les composants diélectriques et les contacts de source et d'anode.

Pour les modules d'affichage TFT, il y a un transistor associé à chaque pixel. Étant donné que la taille globale du transistor TFT est très petite par rapport à la taille globale du pixel qu'il contrôle, il bloque très peu du rétroéclairage qui brille à travers les pixels individuels de l'écran. Cela se produit car la fine couche de substrat de silicium est débarrassée de toutes les surfaces non transistor (la plupart de la surface de l'écran) afin que la lumière ait un passage non obstrué à travers la base de transistor de verre. Si le substrat avait été du véritable silicium, il n'aurait pas permis à la lumière de passer à travers et entraînerait un affichage non fonctionnelle.