Un transistor de jonction de grille à effet de champ utilise une structure de type diode entre la grille et le drain vers le canal source.  Il s'agit d'un simple transistor à effet de champ, dopé à l'aide d'un agent de type n ou p.  D'un côté du transistor, un agent de dopage opposé est utilisé pour créer une jonction pn.  Elle sert à la fois de mécanisme de contrôle du courant qui passe dans le transistor et de source d'impédance d'entrée vers le périphérique tant que la tension de grille est correctement polarisée.  Comme pour une diode, une polarité incorrecte sur une JFET peut entraîner un choc de courant indésirable dans la grille.

Lorsque la source et la grille présentent une tension identique, un flux de courant traverse librement le transistor jusqu'aux tolérances du canal du semiconducteur.  Dans le cas d'un transistor de type n, il est possible d'appliquer une tension de source de grille à la grille. Cette dernière commence à bloquer le flux de courant jusqu'à atteindre un point critique lorsque la couche barrière s'est complètement formée sur le canal du transistor.  Ceci stoppe efficacement le flux de courant entre le drain et la source comme le demande la valeur de pincement hors tension du VGS. Ce principe peut varier de manière importante d'un transistor à l'autre.  Les périphériques JFET de type p présentent les mêmes réponses, mais il s'agit dans leur cas d'une tension positive entre la grille et la source qui créerait une couche barrière similaire dans le canal dopé opposé de ces périphériques.