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MOSFET

ZVP2110A

Trans MOSFET P-CH 100V 0.23A 3-Pin E-Line

Diodes Incorporated
Fiches techniques 

Spécifications techniques du produit
  • RoHS (Union Européenne)
    Compliant
  • ECCN (États-Unis)
    EAR99
  • Statut de pièce
    Active
  • Code HTS
    8541.21.00.95
  • Automotive
    No
  • PPAP
    No
  • Catégorie
    Small Signal
  • Configuration
    Single
  • Technologie de traitement
    DMOS
  • Mode canal
    Enhancement
  • Type de canal
    P
  • Nombre d'éléments par puce
    1
  • Tension drain-source maximale (V)
    100
  • Tension minimale de source barrière (V)
    ±20
  • Courant de drain continu maximal (A)
    0.23
  • Résistance maximale de source de drainage (mOhm)
    8000@10V
  • Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)
    100(Max)@25V
  • Dissipation de puissance maximale (mW)
    700
  • Temps de descente type (ns)
    15(Max)
  • Temps de montée type (ns)
    15(Max)
  • Délai type de mise à l'arrêt (ns)
    12(Max)
  • Délai type de mise en marche (ns)
    7(Max)
  • Température de fonctionnement minimale (°C)
    -55
  • Température de fonctionnement maximale (°C)
    150
  • Installation
    Through Hole
  • Hauteur du paquet
    3.9
  • Largeur du paquet
    2.28
  • Longueur du paquet
    4.57
  • Carte électronique changée
    3
  • Nom de lemballage standard
    TO
  • Conditionnement du fournisseur
    E-Line
  • Décompte de broches
    3
  • Forme de sonde
    Through Hole

Documentation et ressources

Fiches techniques
Ressources de conception