Arrow Electronic Components Online
TPN2R203NCL1Q|TOSHIBA|limage
TPN2R203NCL1Q|TOSHIBA|simage
MOSFET

TPN2R203NC,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R

Toshiba
Fiches techniques 

Spécifications techniques du produit
  • RoHS (Union Européenne)
    Compliant with Exemption
  • ECCN (États-Unis)
    EAR99
  • Statut de pièce
    Active
  • Code HTS
    8541.29.00.55
  • SVHC
    Yes
  • Taux de SVHC dépassant le seuil autorisé
    Yes
  • Automotive
    No
  • PPAP
    No
  • Catégorie
    Power MOSFET
  • Matériau
    Si
  • Configuration
    Single Quad Drain Triple Source
  • Mode canal
    Enhancement
  • Type de canal
    N
  • Nombre d'éléments par puce
    1
  • Tension drain-source maximale (V)
    30
  • Tension minimale de source barrière (V)
    ±20
  • Courant de drain continu maximal (A)
    100
  • Résistance maximale de source de drainage (mOhm)
    2.2@10V
  • Charge de barrière type @ Vgs (nC)
    34@10V
  • Charge de barrière type @ 10V (nC)
    34
  • Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)
    2230@15V
  • Dissipation de puissance maximale (mW)
    1900
  • Temps de descente type (ns)
    24
  • Temps de montée type (ns)
    9
  • Température de fonctionnement minimale (°C)
    -55
  • Température de fonctionnement maximale (°C)
    150
  • Emballage
    Tape and Reel
  • Installation
    Surface Mount
  • Hauteur du paquet
    0.85 mm
  • Largeur du paquet
    3.1 mm
  • Longueur du paquet
    3.1 mm
  • Carte électronique changée
    8
  • Nom de lemballage standard
    SON
  • Conditionnement du fournisseur
    TSON EP Advance
  • Décompte de broches
    8

Documentation et ressources

Fiches techniques
Ressources de conception