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MOSFET

TP5322K1-G

Trans MOSFET P-CH Si 220V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R

Microchip Technology
Fiches techniques 

Spécifications techniques du produit
  • RoHS (Union Européenne)
    Compliant
  • ECCN (États-Unis)
    EAR99
  • Statut de pièce
    Active
  • Code HTS
    8541.29.00.55
  • Automotive
    No
  • PPAP
    No
  • Catégorie
    Power MOSFET
  • Matériau
    Si
  • Configuration
    Single
  • Mode canal
    Enhancement
  • Type de canal
    P
  • Nombre d'éléments par puce
    1
  • Tension drain-source maximale (V)
    220
  • Tension minimale de source barrière (V)
    ±20
  • Courant de drain continu maximal (A)
    0.12
  • Résistance maximale de source de drainage (mOhm)
    12000@10V
  • Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)
    110(Max)@25V
  • Dissipation de puissance maximale (mW)
    360
  • Temps de descente type (ns)
    15
  • Temps de montée type (ns)
    15
  • Délai type de mise à l'arrêt (ns)
    20
  • Délai type de mise en marche (ns)
    10
  • Température de fonctionnement minimale (°C)
    -55
  • Température de fonctionnement maximale (°C)
    150
  • Emballage
    Tape and Reel
  • Installation
    Surface Mount
  • Hauteur du paquet
    0.95
  • Largeur du paquet
    1.3
  • Longueur du paquet
    2.9
  • Carte électronique changée
    3
  • Nom de lemballage standard
    SOT
  • Conditionnement du fournisseur
    SOT-23
  • Décompte de broches
    3
  • Forme de sonde
    Gull-wing

Documentation et ressources

Fiches techniques
Ressources de conception