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MOSFET

SIRA20DP-T1-RE3

Trans MOSFET N-CH 25V 81.7A 8-Pin PowerPAK SO EP

Vishay
Fiches techniques 

Spécifications techniques du produit
  • RoHS (Union Européenne)
    Compliant
  • ECCN (États-Unis)
    EAR99
  • Statut de pièce
    Active
  • Code HTS
    8541.29.00.55
  • Automotive
    No
  • PPAP
    No
  • Catégorie
    Power MOSFET
  • Configuration
    Single Quad Drain Triple Source
  • Mode canal
    Enhancement
  • Type de canal
    N
  • Nombre d'éléments par puce
    1
  • Tension drain-source maximale (V)
    25
  • Tension minimale de source barrière (V)
    16
  • Courant de drain continu maximal (A)
    81.7
  • Résistance maximale de source de drainage (mOhm)
    0.58@10V
  • Charge de barrière type @ Vgs (nC)
    61@4.5V|134@10V
  • Charge de barrière type @ 10V (nC)
    134
  • Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)
    10850@10V
  • Dissipation de puissance maximale (mW)
    6250
  • Temps de descente type (ns)
    9|16
  • Temps de montée type (ns)
    24|95
  • Délai type de mise à l'arrêt (ns)
    53|47
  • Délai type de mise en marche (ns)
    19|51
  • Température de fonctionnement minimale (°C)
    -55
  • Température de fonctionnement maximale (°C)
    150
  • Installation
    Surface Mount
  • Hauteur du paquet
    1.07(Max)
  • Largeur du paquet
    5.89
  • Longueur du paquet
    4.9
  • Carte électronique changée
    8
  • Nom de lemballage standard
    SO
  • Conditionnement du fournisseur
    PowerPAK SO EP
  • Décompte de broches
    8

Documentation et ressources

Fiches techniques
Ressources de conception