Spécifications techniques du produit
RoHS (Union Européenne)
Compliant with Exemption
ECCN (États-Unis)
EAR99
Statut de pièce
Active
Code HTS
8541.29.00.55
Automotive
No
PPAP
No
Catégorie
Power MOSFET
Matériau
Si
Configuration
Single
Mode canal
Enhancement
Type de canal
P
Nombre d'éléments par puce
1
Tension drain-source maximale (V)
400
Tension minimale de source barrière (V)
±20
Tension seuil de barrière maximale (V)
4
Operating Junction Temperature (°C)
-55 to 150
Courant de drain continu maximal (A)
1.8
Courant de fuite maximal de source de barrière (nA)
100
IDSS maximal (uA)
100
Résistance maximale de source de drainage (mOhm)
7000@10V
Charge de barrière type @ Vgs (nC)
13(Max)@10V
Charge de barrière type @ 10V (nC)
13(Max)
Barrière type pour drainer la charge (nC)
5(Max)
Barrière type à la source de la charge (nC)
3.2(Max)
Charge de récupération inverse type (nC)
640
Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)
270@25V
Capacitance de transfert inverse type @ Vds (pF)
8@25V
Tension seuil de barrière minimale (V)
2
Capacitance type de sortie (pF)
50
Dissipation de puissance maximale (mW)
50000
Temps de descente type (ns)
24
Temps de montée type (ns)
10
Délai type de mise à l'arrêt (ns)
25
Délai type de mise en marche (ns)
11
Température de fonctionnement minimale (°C)
-55
Température de fonctionnement maximale (°C)
150
Tension maximale de source barrière positive (V)
20
Courant maximal de drainage pulsé @ TC=25°C (A)
7.2
Résistance thermique ambiante maximale de la jonction sur PCB (°C/W)
50
Tension de plateau de barrière type (V)
5.1
Temps inverse de recouvrement type (ns)
170
Tension maximale directe de diode (V)
4
Installation
Surface Mount
Hauteur du paquet
2.38(Max)
Largeur du paquet
6.22(Max)
Longueur du paquet
6.73(Max)
Carte électronique changée
2
Onglet
Tab
Nom de lemballage standard
TO
Conditionnement du fournisseur
DPAK
Décompte de broches
3