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MOSFET

PSMN010-80YLX

Trans MOSFET N-CH 80V 84A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

Nexperia
Fiches techniques 

Spécifications techniques du produit
  • RoHS (Union Européenne)
    Compliant with Exemption
  • ECCN (États-Unis)
    EAR99
  • Statut de pièce
    Active
  • Code HTS
    8541.29.00.55
  • SVHC
    Yes
  • Taux de SVHC dépassant le seuil autorisé
    Yes
  • Automotive
    No
  • PPAP
    No
  • Catégorie
    Power MOSFET
  • Configuration
    Single Triple Source
  • Mode canal
    Enhancement
  • Type de canal
    N
  • Nombre d'éléments par puce
    1
  • Tension drain-source maximale (V)
    80
  • Tension minimale de source barrière (V)
    20
  • Tension seuil de barrière maximale (V)
    2.1
  • Courant de drain continu maximal (A)
    84
  • Courant de fuite maximal de source de barrière (nA)
    100
  • IDSS maximal (uA)
    10
  • Résistance maximale de source de drainage (mOhm)
    10@10V
  • Charge de barrière type @ Vgs (nC)
    44.2@5V|84.7@10V
  • Charge de barrière type @ 10V (nC)
    84.7
  • Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)
    4879@25V
  • Dissipation de puissance maximale (mW)
    194000
  • Temps de descente type (ns)
    36
  • Temps de montée type (ns)
    40
  • Délai type de mise à l'arrêt (ns)
    62
  • Délai type de mise en marche (ns)
    23
  • Température de fonctionnement minimale (°C)
    -55
  • Température de fonctionnement maximale (°C)
    175
  • Emballage
    Tape and Reel
  • Installation
    Surface Mount
  • Hauteur du paquet
    1.1(Max)
  • Largeur du paquet
    4.1(Max)
  • Longueur du paquet
    5(Max)
  • Carte électronique changée
    4
  • Onglet
    Tab
  • Nom de lemballage standard
    FPAK
  • Conditionnement du fournisseur
    LFPAK
  • Décompte de broches
    5

Documentation et ressources

Fiches techniques
Ressources de conception