MOSFET

IPD50N03S4L06ATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

Infineon Technologies AG

Spécifications techniques du produit

• RoHS (Union Européenne)

  Compliant with Exemption

• ECCN (États-Unis)

  EAR99

• Statut de pièce

  Active

• Code HTS

  8541.29.00.55

• SVHC

  Yes

• Taux de SVHC dépassant le seuil autorisé

  Yes

• Automotive

  Yes

• PPAP

  Unknown

• Catégorie

  Power MOSFET

• Configuration

  Single

• Mode canal

  Enhancement

• Type de canal

  N

• Nombre d'éléments par puce

  1

• Tension drain-source maximale (V)

  30

• Tension minimale de source barrière (V)

  ±16

• Tension seuil de barrière maximale (V)

  2.2

• Courant de drain continu maximal (A)

  50

• Résistance maximale de source de drainage (mOhm)

  5.5@10V

• Charge de barrière type @ Vgs (nC)

  24@10V

• Charge de barrière type @ 10V (nC)

  24

• Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)

  1790@25V

• Dissipation de puissance maximale (mW)

  56000

• Temps de descente type (ns)

  7

• Temps de montée type (ns)

  1

• Délai type de mise à l'arrêt (ns)

  19

• Délai type de mise en marche (ns)

  3

• Température de fonctionnement minimale (°C)

  -55

• Température de fonctionnement maximale (°C)

  175

• Emballage

  Tape and Reel

• Résistance type à une source de drainage @ 25°C (mOhm)

  4.9@10V|6.9@4.5V

• Courant maximal de drainage pulsé @ TC=25°C (A)

  200

• Installation

  Surface Mount

• Hauteur du paquet

  2.3 mm

• Largeur du paquet

  6.22 mm

• Longueur du paquet

  6.5 mm

• Carte électronique changée

  2

• Onglet

  Tab

• Nom de lemballage standard

  TO

• Conditionnement du fournisseur

  DPAK

• Décompte de broches

  3