MOSFET

IAUC60N04S6L030HATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 119A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

Infineon Technologies AG

Spécifications techniques du produit

• RoHS (Union Européenne)

  Compliant with Exemption

• ECCN (États-Unis)

  EAR99

• Statut de pièce

  LTB

• Code HTS

  8541.29.00.55

• SVHC

  Yes

• Taux de SVHC dépassant le seuil autorisé

  Yes

• Automotive

  Yes

• PPAP

  Unknown

• Catégorie

  Power MOSFET

• Configuration

  Dual Dual Source Common Dual Drain

• Mode canal

  Enhancement

• Type de canal

  N

• Nombre d'éléments par puce

  2

• Tension drain-source maximale (V)

  40

• Tension minimale de source barrière (V)

  ±16

• Operating Junction Temperature (°C)

  -55 to 175

• Courant de drain continu maximal (A)

  119

• Résistance maximale de source de drainage (mOhm)

  3@10V

• Charge de barrière type @ Vgs (nC)

  27@10V

• Charge de barrière type @ 10V (nC)

  27

• Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)

  1637@25V

• Dissipation de puissance maximale (mW)

  75000

• Temps de descente type (ns)

  8

• Temps de montée type (ns)

  2

• Délai type de mise à l'arrêt (ns)

  16

• Délai type de mise en marche (ns)

  3

• Température de fonctionnement minimale (°C)

  -55

• Température de fonctionnement maximale (°C)

  175

• Échelle de température du fournisseur

  Automotive

• Emballage

  Tape and Reel

• Installation

  Surface Mount

• Hauteur du paquet

  1 mm

• Largeur du paquet

  5.48 mm

• Longueur du paquet

  5.15 mm

• Carte électronique changée

  8

• Nom de lemballage standard

  SON

• Conditionnement du fournisseur

  TDSON EP

• Décompte de broches

  8