Spécifications techniques du produit
RoHS (Union Européenne)
Compliant
ECCN (États-Unis)
EAR99
Statut de pièce
Obsolete
Code HTS
8541.29.00.95
Automotive
No
PPAP
No
Catégorie
Power MOSFET
Configuration
Single Quad Drain Triple Source
Technologie de traitement
0.35um to 2um
Mode canal
Enhancement
Type de canal
N
Nombre d'éléments par puce
1
Tension drain-source maximale (V)
40
Tension minimale de source barrière (V)
±20
Courant de drain continu maximal (A)
12.8
Résistance maximale de source de drainage (mOhm)
10.5@10V
Charge de barrière type @ Vgs (nC)
7@10V
Charge de barrière type @ 10V (nC)
7
Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)
2000@20V
Dissipation de puissance maximale (mW)
2500
Temps de descente type (ns)
7
Temps de montée type (ns)
14
Délai type de mise à l'arrêt (ns)
27
Délai type de mise en marche (ns)
11
Température de fonctionnement minimale (°C)
-55
Température de fonctionnement maximale (°C)
150
Emballage
Tape and Reel
Installation
Surface Mount
Hauteur du paquet
1.5(Max)
Largeur du paquet
3.9
Longueur du paquet
4.9
Carte électronique changée
8
Nom de lemballage standard
SO
Conditionnement du fournisseur
SOIC
Décompte de broches
8
Forme de sonde
Gull-wing