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MOSFET

EMH2408-TL-H

Trans MOSFET N-CH Si 20V 4A 8-Pin SOT-383FL T/R

onsemi
Fiches techniques 

Spécifications techniques du produit
  • RoHS (Union Européenne)
    Compliant with Exemption
  • ECCN (États-Unis)
    EAR99
  • Statut de pièce
    Obsolete
  • Code HTS
    COMPONENTS
  • SVHC
    Yes
  • Taux de SVHC dépassant le seuil autorisé
    Yes
  • Automotive
    No
  • PPAP
    No
  • Catégorie
    Power MOSFET
  • Matériau
    Si
  • Configuration
    Dual Dual Drain
  • Mode canal
    Depletion
  • Type de canal
    N
  • Nombre d'éléments par puce
    2
  • Tension drain-source maximale (V)
    20
  • Tension minimale de source barrière (V)
    ±12
  • Courant de drain continu maximal (A)
    4
  • Courant de fuite maximal de source de barrière (nA)
    10000
  • IDSS maximal (uA)
    1
  • Résistance maximale de source de drainage (mOhm)
    45@4.5V
  • Charge de barrière type @ Vgs (nC)
    4.7@4.5V
  • Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)
    345@10V
  • Dissipation de puissance maximale (mW)
    1200
  • Temps de descente type (ns)
    38
  • Temps de montée type (ns)
    60
  • Délai type de mise à l'arrêt (ns)
    30
  • Délai type de mise en marche (ns)
    9.2
  • Température de fonctionnement minimale (°C)
    -55
  • Température de fonctionnement maximale (°C)
    150
  • Emballage
    Tape and Reel
  • Installation
    Surface Mount
  • Hauteur du paquet
    0.75 mm
  • Largeur du paquet
    1.7 mm
  • Longueur du paquet
    2 mm
  • Carte électronique changée
    8
  • Nom de lemballage standard
    SOT
  • Conditionnement du fournisseur
    SOT-383FL
  • Décompte de broches
    8
  • Forme de sonde
    Flat

Documentation et ressources

Fiches techniques
Ressources de conception