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MOSFET

DMT3022UEV-13

Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin PowerDI EP T/R

Diodes Incorporated
Fiches techniques 

Spécifications techniques du produit
  • RoHS (Union Européenne)
    Compliant
  • ECCN (États-Unis)
    EAR99
  • Statut de pièce
    Active
  • Code HTS
    8541.29.00.55
  • Automotive
    No
  • PPAP
    No
  • Catégorie
    Power MOSFET
  • Configuration
    Dual Dual Drain
  • Mode canal
    Enhancement
  • Type de canal
    N
  • Nombre d'éléments par puce
    2
  • Tension drain-source maximale (V)
    30
  • Tension minimale de source barrière (V)
    ±12
  • Tension seuil de barrière maximale (V)
    1.8
  • Courant de drain continu maximal (A)
    17
  • Courant de fuite maximal de source de barrière (nA)
    10000
  • IDSS maximal (uA)
    1
  • Résistance maximale de source de drainage (mOhm)
    22@10V
  • Charge de barrière type @ Vgs (nC)
    6.9@4.5V|13.9@10V
  • Charge de barrière type @ 10V (nC)
    13.9
  • Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)
    903@15V
  • Dissipation de puissance maximale (mW)
    1800
  • Temps de descente type (ns)
    1.7
  • Temps de montée type (ns)
    6.7
  • Délai type de mise à l'arrêt (ns)
    10.5
  • Délai type de mise en marche (ns)
    3.8
  • Température de fonctionnement minimale (°C)
    -55
  • Température de fonctionnement maximale (°C)
    150
  • Emballage
    Tape and Reel
  • Installation
    Surface Mount
  • Hauteur du paquet
    0.8(Max)
  • Largeur du paquet
    3.05
  • Longueur du paquet
    3.05
  • Carte électronique changée
    8
  • Conditionnement du fournisseur
    PowerDI EP
  • Décompte de broches
    8

Documentation et ressources

Fiches techniques
Ressources de conception