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MOSFET

DMP58D1LVQ-7

Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Diodes Incorporated
Fiches techniques 

Spécifications techniques du produit
  • RoHS (Union Européenne)
    Compliant
  • Statut de pièce
    Active
  • Code HTS
    EA
  • Mode canal
    Enhancement
  • Type de canal
    P
  • Tension drain-source maximale (V)
    50
  • Tension seuil de barrière maximale (V)
    2
  • Operating Junction Temperature (°C)
    -55 to 150
  • Courant de fuite maximal de source de barrière (nA)
    100
  • Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)
    37@25V
  • Tension seuil de barrière minimale (V)
    0.8
  • Température de fonctionnement minimale (°C)
    -55
  • Température de fonctionnement maximale (°C)
    150
  • Tension type directe de diode (V)
    0.8
  • Tension maximale directe de diode (V)
    1.4
  • Installation
    Surface Mount
  • Hauteur du paquet
    0.6(Max)
  • Largeur du paquet
    1.2
  • Longueur du paquet
    1.6
  • Carte électronique changée
    6
  • Nom de lemballage standard
    SOT
  • Conditionnement du fournisseur
    SOT-563
  • Décompte de broches
    6

Documentation et ressources

Fiches techniques
Ressources de conception