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MOSFET

BSS192PH6327XTSA1

Trans MOSFET P-CH 250V 0.19A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101

Infineon Technologies AG
Fiches techniques 

Spécifications techniques du produit
  • RoHS (Union Européenne)
    Compliant
  • ECCN (États-Unis)
    EAR99
  • Statut de pièce
    Obsolete-Unconfirmed
  • Code HTS
    8541.21.00.95
  • Automotive
    Yes
  • PPAP
    Unknown
  • Catégorie
    Small Signal
  • Configuration
    Single Dual Drain
  • Mode canal
    Enhancement
  • Type de canal
    P
  • Nombre d'éléments par puce
    1
  • Tension drain-source maximale (V)
    250
  • Tension minimale de source barrière (V)
    ±20
  • Tension seuil de barrière maximale (V)
    2
  • Courant de drain continu maximal (A)
    0.19
  • Courant de fuite maximal de source de barrière (nA)
    100
  • IDSS maximal (uA)
    0.2
  • Résistance maximale de source de drainage (mOhm)
    12000@10V
  • Charge de barrière type @ Vgs (nC)
    4.9@10V
  • Charge de barrière type @ 10V (nC)
    4.9
  • Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)
    83@25V
  • Dissipation de puissance maximale (mW)
    1000
  • Temps de descente type (ns)
    50
  • Temps de montée type (ns)
    5.2
  • Délai type de mise à l'arrêt (ns)
    72
  • Délai type de mise en marche (ns)
    4.7
  • Température de fonctionnement minimale (°C)
    -55
  • Température de fonctionnement maximale (°C)
    150
  • Échelle de température du fournisseur
    Automotive
  • Emballage
    Tape and Reel
  • Installation
    Surface Mount
  • Hauteur du paquet
    1.5
  • Largeur du paquet
    2.5
  • Longueur du paquet
    4.5
  • Carte électronique changée
    3
  • Onglet
    Tab
  • Nom de lemballage standard
    SOT
  • Conditionnement du fournisseur
    SOT-89
  • Décompte de broches
    4

Documentation et ressources

Fiches techniques
Ressources de conception