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GP BJT

BDY58

Trans GP BJT NPN 125V 25A 175000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3

TT Electronics / Semelab
Fiches techniques 

Spécifications techniques du produit
  • EU RoHS
    Supplier Unconfirmed
  • ECCN (US)
    EAR99
  • Part Status
    Obsolete
  • HTS
    8541.29.00.55
  • Automotive
    No
  • PPAP
    No
  • Type
    NPN
  • Category
    Bipolar Power
  • Material
    Si
  • Configuration
    Single
  • Number of Elements per Chip
    1
  • Maximum Collector-Base Voltage (V)
    160
  • Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
    125
  • Maximum Base-Emitter Voltage (V)
    10
  • Maximum Base-Emitter Saturation Voltage (V)
    2@1A@10A
  • Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
    1.4@1A@10A
  • Maximum DC Collector Current (A)
    25
  • Maximum Collector Cut-Off Current (nA)
    1000000
  • Minimum DC Current Gain
    60(Max)
  • Maximum Power Dissipation (mW)
    175000
  • Minimum Operating Temperature (°C)
    -65
  • Maximum Operating Temperature (°C)
    200
  • Mounting
    Through Hole
  • Package Height
    11.43(Max)
  • Package Width
    26.67(Max)
  • Package Length
    39.94(Max)
  • PCB changed
    2
  • Tab
    Tab
  • Standard Package Name
    TO
  • Supplier Package
    TO-3
  • Pin Count
    3
  • Lead Shape
    Through Hole

Documentation et ressources

Fiches techniques
Ressources de conception