Toshiba Diodes, Transistors and Thyristors
3,721 Toshiba Diodes, Transistors and Thyristors
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| Nº de referencia | Precio | Existencias | Fabricante | Categoría | Type | Maximum Rate of Rise of Off-State Voltage - (V/us) | Category | Maximum Rate of Rise of On-State Current - (A/us) | Material | Frequency Band | Channel Type | Maximum Gate Trigger Voltage - (V) | Configuration | Channel Mode | Typical Zener Voltage - (V) | Repetitive Peak Reverse Voltage - (V) | Peak Reverse Repetitive Voltage - (V) | Maximum Reverse Voltage - (V) | Maximum Gate Trigger Current - (mA) | Maximum Gate Emitter Voltage - (V) | Maximum Collector-Emitter Voltage - (V) | Zener Voltage Tolerance | Surge Current Rating - (A) | Maximum Reverse Current - (uA) | Maximum Continuous Forward Current - (A) | Maximum Collector-Base Voltage - (V) | Number of Elements per Chip | Minimum Tuning Ratio | Maximum Holding Current - (mA) | Maximum Drain-Gate Voltage - (V) | Maximum Continuous DC Collector Current - (A) | Maximum Base-Emitter Voltage - (V) | Typical Input Resistance - (kOhm) | Tuning Ratio Test Condition | Test Current - (mA) | Peak Non-Repetitive Forward Surge Current - (A) | Maximum Series Resistance @ Maximum IF - (Ohm) | Maximum Forward Voltage - (V) | Maximum Drain-Source Voltage - (V) | Maximum Base-Emitter Saturation Voltage - (V) | Typical Resistor Ratio | Peak Reverse Current - (uA) | Maximum Reverse Leakage Current - (uA) | Maximum Gate-Source Voltage - (V) | Maximum DC Collector Current - (A) | Peak On-State Voltage - (V) | Operational Bias Conditions | Minimum Diode Capacitance - (pF) | Maximum Junction Ambient Thermal Resistance | Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | Maximum Gate Peak Inverse Voltage - (V) | Maximum Zener Impedance - (Ohm) | Maximum Power Dissipation - (mW) | Maximum Power Dissipation @ 25C - (mW) | Maximum Diode Capacitance - (pF) | Maximum Continuous Drain Current - (A) | RMS On-State Current - (A) | Repetitive Peak Forward Blocking Voltage - (V) | Rated Average On-State Current - (A) | Peak Reverse Recovery Time - (ns) | Minimum DC Current Gain Range | Minimum DC Current Gain | Maximum Drain-Source Resistance - (mOhm) | Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | Repetitive Peak Off-State Current - (mA) | Maximum Junction Case Thermal Resistance | Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | Typical Output Capacitance - (pF) | Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | Typical Power Gain - (dB) | Maximum Output Power - (W) | Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage - (V) | Maximum Frequency - (MHz) | Typical 3rd Order Intercept Point - (dBm) | Maximum Transition Frequency - (MHz) | Maximum Noise Figure - (dB) | Typical Drain-Source Resistance @ 25°C - (mOhm) | Process Technology | Packaging | Pin Count | Supplier Package | Standard Package Name | CECC Qualified | ESD Protection | Military | AEC Qualified | AEC Qualified Number | Auto motive | P PAP | ECCN Code | SVHC | SVHC Exceeds Threshold |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2SC5976(TE85L,F)
Trans GP BJT NPN 30V 3A 625mW 3-Pin TSM T/R
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Existencias
1,367
Desde $0.0811 hasta $0.103
Por unidad
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Toshiba | GP BJT | NPN | Bipolar Power | Si | Single | 30 | 50 | 1 | 6 | 1.1@33mA@1A | 3 | 625 | 120 to 200|200 to 300 | 250@0.3A@2V|120@1A@2V | 0.14@33mA@1A | Tape and Reel | 3 | TSM | SOT | No | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TK28A65W,S5X(M
Trans MOSFET N-CH Si 650V 27.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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Existencias
14
Desde $3.05 hasta $3.60
Por unidad
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 650 | ±30 | 45000 | 27.6 | 110@10V | 75@10V | 3000@300V | 3 | TO-220SIS | TO | No | No | No | EAR99 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SC6135,LF(T
Trans GP BJT NPN 50V 1A 800mW 3-Pin UFM T/R
|
Existencias
407
Desde $0.1387 hasta $0.154
Por unidad
|
Toshiba | GP BJT | NPN | Bipolar Small Signal | Si | Single | 50 | 100 | 1 | 7 | 1.1@6mA@300mA | 1 | 800 | 200 to 300|300 to 500 | 400@0.1A@2V|200@0.3A@2V | 0.12@6mA@300mA | Tape and Reel | 3 | UFM | No | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
HN4C51J(TE85L,F)
Trans GP BJT NPN 120V 0.1A 300mW 5-Pin SMV T/R
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Existencias
2,139
Desde $0.168 hasta $0.429
Por unidad
|
Toshiba | GP BJT | NPN | Bipolar Small Signal | Si | Dual Common Base | 120 | 120 | 2 | 5 | 0.1 | 300 | 200 to 300 | 200@2mA@6V | 0.3@1mA@10mA | Tape and Reel | 5 | SMV | SOT | No | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CUHS10F60,H3F
Diode Small Signal Schottky Si 1A 2-Pin US-H T/R
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Existencias
7
$0.0224
Por unidad
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Toshiba | Rectifiers | Small Signal Schottky Diode | Si | Single | 1 | 10 | 0.62 | 40 | 130(Typ) | Tape and Reel | 2 | US-H | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CRS09(T5L,TEMQ)
Diode Schottky 30V 1.5A 2-Pin S-FLAT T/R
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Existencias
318
Desde $0.0884 hasta $0.197
Por unidad
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Toshiba | Rectifiers | Schottky Diode | Single | 30 | 1.5@Ta=84C | 30 | 0.46 | 50 | 140°C/W | Tape and Reel | 2 | S-FLAT | No | Unknown | No | No | No | No | EAR99 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
HN2S01FU(TE85L,F)
Diode Small Signal Schottky 15V 0.2A 6-Pin US T/R
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Existencias
1,499
Desde $0.1092 hasta $0.27
Por unidad
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Toshiba | Rectifiers | Small Signal Schottky Diode | Triple Parallel | 15 | 0.2 | 1 | 0.5@0.1A | 20 | 200 | Tape and Reel | 6 | US | No | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RN1502(TE85L,F)
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 5-Pin SMV T/R
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Existencias
77
Desde $0.121 hasta $0.231
Por unidad
|
Toshiba | BJT digital | NPN | Dual Common Emitter | 50 | 0.1 | 10 | 1 | 300 | 50@10mA@5V | 0.3@0.25mA@5mA | Tape and Reel | 5 | SMV | SOT | No | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TK090A65Z,S4X(S
Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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Existencias
4
$3.50
Por unidad
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 650 | ±30 | 45000 | 30 | 90@10V | 47@10V | 2780@300V | 3 | TO-220SIS | TO | No | No | No | No | EAR99 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TK4R3E06PL,S1X(S
Trans MOSFET N-CH Si 60V 106A 3-Pin(3+Tab) TO-220
|
Existencias
15
Desde $1.04 hasta $2.13
Por unidad
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 60 | ±20 | 87000 | 106 | 4.3@10V | 23.9@4.5V|48.2@10V | 3280@30V | 3 | TO-220 | TO | No | No | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TK090N65Z,S1F(S
Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247
|
Existencias
120
$2.7731
Por unidad
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 650 | ±30 | 230000 | 30 | 90@10V | 47@10V | 2780@300V | 3 | TO-247 | TO | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TK31N60W5,S1VF(S
Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
|
Existencias
30
Desde $3.10 hasta $4.49
Por unidad
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 600 | ±30 | 4.5 | 230000 | 30.8 | 99@10V | 105@10V | 105 | 3000@300V | DTMOSIV | 3 | TO-247 | TO | No | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SSM6N44FE,LM
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 6-Pin ES T/R Automotive AEC-Q101
|
Existencias
4,000
Desde $0.0487 hasta $0.3348
Por unidad
|
Toshiba | MOSFETs | Small Signal | Si | N | Dual | Enhancement | 2 | 30 | ±10@N Channel|±8@P Channel | 1.5 | 150 | 0.1 | 4000@4V | 1.23@4V@N Channel|1.2@4V@P Channel | 8.5@3V | Tape and Reel | 6 | ES | No | Yes | AEC-Q101 | Yes | Unknown | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CMH04(T2L,TEM,Q)
Diode Switching 200V 1A 2-Pin M-FLAT T/R
|
Existencias
186
Desde $0.0586 hasta $0.0685
Por unidad
|
Toshiba | Rectifiers | Switching Diode | Single | 200 | 1@Ta=26C | 20 | 0.98 | 10 | 35 | Tape and Reel | 2 | M-FLAT | No | Unknown | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TW027N65C,S1F(S
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247
|
Existencias
20
Desde $27.60 hasta $36.30
Por unidad
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | SiC | N | Single | Enhancement | 1 | 650 | 25 | 156000 | 58 | 37@18V | 65@18V | 2288@400V | 3 | TO-247 | TO | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RN1705JE(TE85L,F)
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 100mW 5-Pin ESV T/R
|
Existencias
2,760
Desde $0.111 hasta $0.231
Por unidad
|
Toshiba | BJT digital | NPN | Dual Common Emitter | 50 | 0.1 | 2.2 | 0.0468 | 100 | 80@10mA@5V | 0.3@0.25mA@5mA | Tape and Reel | 5 | ESV | SOT | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TBAT54,LM(T
Diode Small Signal Schottky 35V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
|
Existencias
2,945
Desde $0.0466 hasta $0.0829
Por unidad
|
Toshiba | Rectifiers | Small Signal Schottky Diode | Single | 35 | 0.2 | 1 | 0.58@0.1A | 2 | 320 | 1.5 | Tape and Reel | 3 | SOT-23 | SOT | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TPW1500CNH,L1Q(M Trans MOSFET N-CH Si 150V 50A 8-Pin DSOP Advance T/R |
Existencias
5,000
Desde $1.32 hasta $3.08
Por unidad
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single Quad Drain Triple Source | Enhancement | 1 | 150 | ±20 | 4 | 2500 | 50 | 15.4@10V | 22@10V | 22 | 1700@75V | Tape and Reel | 8 | DSOP Advance | SO | No | No | No | No | EAR99 | Yes | Yes | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
TK35A08N1,S4X(S
Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
|
Existencias
10
Desde $0.56 hasta $0.748
Por unidad
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 80 | ±20 | 4 | 30000 | 55 | 12.2@10V | 25@10V | 25 | 1700@40V | Magazine | 3 | TO-220SIS | TO | No | No | No | No | No | EAR99 | Yes | Yes | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SC6126(TE12L,ZF)
Trans GP BJT NPN 50V 3A 2500mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
|
Existencias
828
Desde $0.0986 hasta $0.129
Por unidad
|
Toshiba | GP BJT | NPN | Bipolar Power | Si | Single Dual Collector | 50 | 120 | 1 | 6 | 1.1@33mA@1A | 3 | 2500 | 50 to 120|120 to 200|200 to 300 | 250@0.3A@2V|100@1A@2V | 10.5 | 0.18@33mA@1A | Tape and Reel | 4 | PW-Mini | SOT | No | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SSM3J375F,LXHF
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2A 3-Pin S-Mini Automotive AEC-Q101
|
Existencias
75
$0.0655
Por unidad
|
Toshiba | MOSFETs | Small Signal | Si | P | Single | Enhancement | 1 | 20 | 6 | 1200 | 2 | 150@4.5V | 4.6@4.5V | 270@10V | 3 | S-Mini | SOT | No | Yes | AEC-Q101 | Yes | Unknown | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TK14A65W,S5X(M
Trans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
|
Existencias
50
Desde $1.19 hasta $2.69
Por unidad
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 650 | ±30 | 3.5 | 40000 | 13.7 | 250@10V | 35@10V | 35 | 1300@300V | Tube | 3 | TO-220SIS | TO | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TW048N65C,S1F
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247
|
Existencias
30
$8.704
Por unidad
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | SiC | N | Single | Enhancement | 1 | 650 | 25 | 132000 | 40 | 65@18V | 41@18V | 1362@400V | 3 | TO-247 | TO | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RN1425TE85LF
Trans Digital BJT NPN 50V 0.8A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
|
Existencias
5,140
Desde $0.132 hasta $0.469
Por unidad
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Toshiba | BJT digital | NPN | Single | 50 | 0.8 | 0.47 | 0.047 | 200 | 90@100mA@1V | 0.25@1mA@50mA|0.25@2mA@50mA | Tape and Reel | 3 | S-Mini | SOT | No | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TK5A90E,S4X(S
Trans MOSFET N-CH Si 900V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
|
Existencias
39
Desde $0.729 hasta $0.991
Por unidad
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 900 | ±30 | 40000 | 4.5 | 3100@10V | 20@10V | 950@25V | 3 | TO-220SIS | TO | No | No | No | EAR99 |