Toshiba Diodes, Transistors and Thyristors
3,797 Toshiba Diodes, Transistors and Thyristors
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| Nº de referencia | Precio | Existencias | Fabricante | Categoría | Type | Category | Maximum Rate of Rise of On-State Current - (A/us) | Maximum Rate of Rise of Off-State Voltage - (V/us) | Material | Frequency Band | Channel Type | Repetitive Peak Off-State Current - (mA) | Configuration | Channel Mode | Typical Zener Voltage - (V) | Peak Reverse Repetitive Voltage - (V) | Maximum Reverse Voltage - (V) | Maximum Gate Trigger Voltage - (V) | Maximum Gate Emitter Voltage - (V) | Maximum Collector-Emitter Voltage - (V) | Zener Voltage Tolerance | Surge Current Rating - (A) | Number of Elements per Chip | Maximum Reverse Current - (uA) | Maximum Gate Trigger Current - (mA) | Maximum Continuous Forward Current - (mA) | Maximum Collector-Base Voltage - (V) | Minimum Tuning Ratio | Maximum Holding Current - (mA) | Maximum Drain-Gate Voltage - (V) | Maximum Base-Emitter Voltage - (V) | Typical Input Resistance - (kOhm) | Tuning Ratio Test Condition | Test Current - (mA) | Peak Non-Repetitive Forward Surge Current - (A) | Maximum Series Resistance @ Maximum IF - (Ohm) | Maximum Forward Voltage - (V) | Maximum Drain-Source Voltage - (V) | Maximum Base-Emitter Saturation Voltage - (V) | Typical Resistor Ratio | Repetitive Peak Reverse Voltage - (V) | Peak Reverse Current - (uA) | Maximum Reverse Leakage Current - (uA) | Maximum Gate-Source Voltage - (V) | Maximum DC Collector Current - (A) | Maximum Continuous DC Collector Current - (A) | Operational Bias Conditions | Minimum Diode Capacitance - (pF) | Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | Maximum Gate Peak Inverse Voltage - (V) | Peak On-State Voltage - (V) | Maximum Zener Impedance - (Ohm) | Maximum Power Dissipation @ 25C - (mW) | Maximum Diode Capacitance - (pF) | Maximum Continuous Drain Current - (A) | Repetitive Peak Forward Blocking Voltage - (V) | Peak Reverse Recovery Time - (ns) | Minimum DC Current Gain Range | Minimum DC Current Gain | Maximum Drain-Source Resistance - (mOhm) | Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | Rated Average On-State Current - (A) | Maximum Junction Ambient Thermal Resistance | RMS On-State Current - (A) | Maximum Junction Case Thermal Resistance | Typical Input Capacitance - (pF) | Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | Maximum Power Dissipation - (mW) | Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage - (V) | Typical Output Capacitance - (pF) | Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | Maximum Output Power - (W) | Typical Power Gain - (dB) | Typical 3rd Order Intercept Point - (dBm) | Maximum Transition Frequency - (MHz) | Maximum Noise Figure - (dB) | Maximum Turn-On Time - (ns) | Typical Drain-Source Resistance @ 25°C - (mOhm) | Process Technology | Packaging | Pin Count | Supplier Package | Standard Package Name | CECC Qualified | ESD Protection | Military | AEC Qualified | AEC Qualified Number | Auto motive | P PAP | ECCN Code | SVHC | SVHC Exceeds Threshold |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TPN13008NH,L1Q(M
Trans MOSFET N-CH Si 80V 40A 8-Pin TSON Advance T/R
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Existencias
2,675
Desde $0.2461 hasta $0.266
Por unidad
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single Quad Drain Triple Source | Enhancement | 1 | 80 | ±20 | 4 | 40 | 13.3@10V | 18@10V | 18 | 1900 | 1230@40V | Tape and Reel | 8 | TSON Advance | SON | No | No | No | No | No | EAR99 | Yes | Yes | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TTA1452B,S4X
Trans GP BJT PNP 80V 12A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
|
Existencias
250
$1.3521
Por unidad
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Toshiba | GP BJT | PNP | Bipolar Power | Si | Single | 80 | 1 | 80 | 6 | 1.2@0.3A@6A | 12 | 30 to 50|50 to 120|120 to 200 | 120@1A@1V|40@6A@1V | 2000 | 0.4@0.3A@6A | Magazine | 3 | TO-220SIS | TO | No | No | No | No | EAR99 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CRS10I30E,LQ(O Schottky Barrier Diode |
Existencias
2,900
Desde $0.0659 hasta $0.155
Por unidad
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Toshiba | Rectifiers | 2 | S-FLAT | No | No | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TK1Q90A(Q) Trans MOSFET N-CH Si 900V 1A 3-Pin(3+Tab) New PW-Mold2 Bag |
Existencias
340
$1.13
Por unidad
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 900 | ±30 | 1 | 9000@10V | 13@10V | 13 | 20000 | 320@25V | Bag | 3 | New PW-Mold2 | No | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SJ305TE85LF
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.2A 3-Pin S-Mini T/R
|
Existencias
4,940
Desde $0.215 hasta $0.596
Por unidad
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Toshiba | MOSFETs | Small Signal | Si | P | Single | Enhancement | 1 | 30 | ±20 | 0.2 | 4000@2.5V | 200 | 92@3V | Tape and Reel | 3 | S-Mini | SOT | No | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TK7P60W5,RVQ
Trans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
|
Existencias
1,900
$0.5919
Por unidad
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 600 | ±30 | 4.5 | 7 | 670@10V | 16@10V | 16 | 60000 | 490@300V | Tape and Reel | 3 | DPAK | TO | No | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TK9A90E,S4X(S
Trans MOSFET N-CH Si 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
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Existencias
20
Desde $1.62 hasta $3.34
Por unidad
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 900 | ±30 | 4 | 9 | 1300@10V | 46@10V | 46 | 50000 | 2000@25V | Tube | 3 | TO-220SIS | TO | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RN2421(TE85L,F)
Trans Digital BJT PNP 50V 0.8A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
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Existencias
5,185
Desde $0.182 hasta $0.417
Por unidad
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Toshiba | BJT digital | PNP | Single | 50 | 1 | 1 | 0.8 | 60@100mA@1V | 200 | 0.25@2mA@50mA | Tape and Reel | 3 | S-Mini | SOT | No | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SSM3K15ACT,L3F(T
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST T/R
|
Existencias
7,455
$1.11
Por unidad
|
Toshiba | MOSFETs | Small Signal | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 30 | ±20 | 1.5 | 0.1 | 3600@4V | 100 | 13.5@3V | Tape and Reel | 3 | CST | No | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TK16G60W,RVQ(S
Trans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
|
Existencias
1,000
Desde $0.993 hasta $2.94
Por unidad
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 600 | ±30 | 15.8 | 190@10V | 38@10V | 38 | 130000 | 1350@300V | 3 | D2PAK | TO | No | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPN22006NH,LQ(S
Trans MOSFET N-CH Si 60V 21A 8-Pin TSON EP Advance T/R
|
Existencias
980
Desde $0.198 hasta $0.548
Por unidad
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single Quad Drain Triple Source | Enhancement | 1 | 60 | ±20 | 21 | 22@10V | 12@10V | 12 | 18000 | 710@30V | Tape and Reel | 8 | TSON EP Advance | SON | No | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1SV280,H3F(T
Diode VAR Cap Single 15V 3.8pF 2-Pin ESC T/R
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Existencias
2,119
Desde $0.101 hasta $0.264
Por unidad
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Toshiba | Varactores | VCO | UHF | Single | 15 | 0.003 | 2 | 2V/10V | 3.8@2V | Tape and Reel | 2 | ESC | SOD | No | No | No | No | No | EAR99 | No | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SSM3K37MFV,L3F(T
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
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Existencias
7,718
Desde $0.0406 hasta $0.128
Por unidad
|
Toshiba | MOSFETs | Small Signal | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 20 | ±10 | 1 | 0.25 | 2200@4.5V | 150 | 12@10V | 3 | VESM | SOT | No | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
HN2S01FU(TE85L,F)
Diode Small Signal Schottky 15V 0.2A 6-Pin US T/R
|
Existencias
1,479
Desde $0.112 hasta $0.124
Por unidad
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Toshiba | Rectifiers | Small Signal Schottky Diode | Triple Parallel | 15 | 0.2 | 1 | 0.5@0.1A | 20 | 200 | Tape and Reel | 6 | US | No | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TW015Z65C,S1F
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
|
Existencias
30
$28.58
Por unidad
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | SiC | N | Single Dual Source | Enhancement | 1 | 650 | 25 | 100 | 22@18V | 128@18V | 342000 | 4850@400V | Tube | 4 | TO-247 | TO | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
2SK3564,S5Q(J
Trans MOSFET N-CH Si 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
|
Existencias
1
$1.23
Por unidad
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 900 | ±30 | 3 | 4300@10V | 17@10V | 40000 | 700@25V | 3 | TO-220NIS | No | No | No | EAR99 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TK31N60W5,S1VF(S
Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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Existencias
30
Desde $3.16 hasta $4.58
Por unidad
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 600 | ±30 | 4.5 | 30.8 | 99@10V | 105@10V | 105 | 230000 | 3000@300V | DTMOSIV | 3 | TO-247 | TO | No | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SSM3K72KFS,LF(T
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SSM T/R
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Existencias
1,774
Desde $0.0332 hasta $0.06
Por unidad
|
Toshiba | MOSFETs | Small Signal | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 60 | ±20 | 0.3 | 1500@10V | 0.39@4.5V | 500 | 26@10V | Tape and Reel | 3 | SSM | No | Yes | AEC-Q101 | Yes | Unknown | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK2145-BL(TE85L,F)
Trans JFET N-CH 14mA Si 5-Pin SMV T/R
|
Existencias
886
Desde $0.327 hasta $0.928
Por unidad
|
Toshiba | JFETs | Si | N | Dual Common Source | -50 | 14 | 13 | 300 | 5(Typ) | Tape and Reel | 5 | SMV | SOT | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TW027N65C,S1F(S
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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Existencias
20
Desde $22.50 hasta $37.00
Por unidad
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | SiC | N | Single | Enhancement | 1 | 650 | 25 | 58 | 37@18V | 65@18V | 156000 | 2288@400V | 3 | TO-247 | TO | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SSM6N44FE,LM
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 6-Pin ES T/R Automotive AEC-Q101
|
Existencias
450
Desde $0.0632 hasta $0.3276
Por unidad
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Toshiba | MOSFETs | Small Signal | Si | N | Dual | Enhancement | 2 | 30 | ±10@N Channel|±8@P Channel | 1.5 | 0.1 | 4000@4V | 1.23@4V@N Channel|1.2@4V@P Channel | 150 | 8.5@3V | Tape and Reel | 6 | ES | No | Yes | AEC-Q101 | Yes | Unknown | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TPN11006PL,LQ(S
Trans MOSFET N-CH Si 60V 26A 8-Pin TSON Advance EP
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Existencias
5,545
Desde $0.266 hasta $0.511
Por unidad
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single Quad Drain Triple Source | Enhancement | 1 | 60 | ±20 | 26 | 11.4@10V | 17@10V | 1600 | 1250@30V | 8 | TSON Advance EP | No | No | No | EAR99 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TK16J55D(F)
Trans MOSFET N-CH Si 550V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
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Existencias
67
Desde $1.19 hasta $2.00
Por unidad
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 550 | ±30 | 16 | 370@10V | 40@10V | 40 | 250000 | 2300@25V | 3 | TO-3PN | TO | No | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RN1425TE85LF
Trans Digital BJT NPN 50V 0.8A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
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Existencias
4,840
Desde $0.16 hasta $0.444
Por unidad
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Toshiba | BJT digital | NPN | Single | 50 | 0.47 | 0.047 | 0.8 | 90@100mA@1V | 200 | 0.25@1mA@50mA|0.25@2mA@50mA | Tape and Reel | 3 | S-Mini | SOT | No | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RN1104MFV,L3F
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VESM T/R Automotive AEC-Q101
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Existencias
711
$0.0138
Por unidad
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Toshiba | BJT digital | NPN | Single | 50 | 47 | 1 | 0.1 | 80@10mA@5V | 150 | 0.3@0.5mA@5mA | Tape and Reel | 3 | VESM | SOT | No | No | Yes | AEC-Q101 | Yes | Unknown | EAR99 | No |