Infineon Technologies AG Diodos, transistores y tiristores
8,160 Infineon Technologies AG Diodos, transistores y tiristores
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| Nº de referencia | Precio | Existencias | Fabricante | Categoría | Type | Technology | Number of SCRs/Diodes | Maximum Rate of Rise of Off-State Voltage - (V/us) | Maximum Breakover Voltage - (V) | Category | Bridge Type | Maximum Rate of Rise of On-State Current - (A/us) | Material | Frequency Band | Diode Type | Channel Type | Maximum Gate Trigger Voltage - (V) | Configuration | Channel Mode | Repetitive Peak Reverse Voltage - (V) | Peak Reverse Repetitive Voltage - (V) | Maximum Reverse Voltage - (V) | Maximum Gate Trigger Current - (mA) | Maximum Gate Emitter Voltage - (V) | Maximum Collector-Emitter Voltage - (V) | Surge Current Rating - (A) | Peak Average Forward Current - (A) | Maximum Reverse Current - (uA) | Maximum Continuous Forward Current - (A) | Maximum Collector-Base Voltage - (V) | Peak RMS Reverse Voltage - (V) | Number of Elements per Chip | Mode of Operation | Minimum Tuning Ratio | Maximum Holding Current - (mA) | Maximum Continuous DC Collector Current - (A) | Maximum Base-Emitter Voltage - (V) | Typical Input Resistance - (kOhm) | Tuning Ratio Test Condition | Peak Non-Repetitive Forward Surge Current - (A) | Maximum Series Resistance @ Maximum IF - (Ohm) | Maximum Forward Voltage - (V) | Maximum Drain-Source Voltage - (V) | Maximum Base-Emitter Saturation Voltage - (V) | Typical Resistor Ratio | Peak Reverse Current - (uA) | Minimum Quality Factor | Maximum Series Resistance @ Minimum IF - (Ohm) | Maximum Reverse Leakage Current - (uA) | Maximum Gate-Source Voltage - (V) | Maximum DC Collector Current - (A) | Peak On-State Voltage - (V) | Operational Bias Conditions | Minimum Diode Capacitance - (pF) | Maximum Junction Ambient Thermal Resistance | Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | Maximum Power Dissipation - (mW) | Maximum Diode Capacitance - (pF) | Maximum Continuous Drain Current - (A) | Typical Carrier Life Time - (us) | RMS On-State Current - (A) | Repetitive Peak Forward Blocking Voltage - (V) | Rated Average On-State Current - (A) | Peak Reverse Recovery Time - (ns) | Minimum DC Current Gain Range | Minimum DC Current Gain | Maximum Drain-Source Resistance - (mOhm) | Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | Repetitive Peak Off-State Current - (mA) | Maximum Junction Case Thermal Resistance | Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | Typical Output Capacitance - (pF) | Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | Typical Power Gain - (dB) | Minimum Frequency - (MHz) | Maximum Output Power - (W) | Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage - (V) | Maximum Power 1dB Compression - (dBm) | Maximum Frequency - (MHz) | Typical 3rd Order Intercept Point - (dBm) | Maximum Transition Frequency - (MHz) | Maximum Noise Figure - (dB) | Typical Drain-Source Resistance @ 25°C - (mOhm) | Process Technology | Packaging | Rad Hard | Pin Count | Supplier Package | Standard Package Name | CECC Qualified | ESD Protection | ESCC Qualified | Military | AEC Qualified | AEC Qualified Number | Auto motive | P PAP | ECCN Code | SVHC | SVHC Exceeds Threshold |
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Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | N | Single | Enhancement | 1 | 800 | ±20 | 62 | 3.9 | 63000 | 4 | 1300@10V | 23@10V | 2 | 23 | 570@100V | 1100@10V | Tape and Reel | 3 | DPAK | TO | No | Unknown | No | No | No | No | EAR99 | Yes | Yes | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BAR6405WH6327XTSA1
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$0.0798
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Infineon Technologies AG | PIN | Attenuator|Switch | HF|MF|SHF|UHF|VHF | Dual Common Cathode | 150 | 100 | 1.35@100mA | 1.1 | 20@1mA | 0.02 | 250 | 0.35@20V | 1.55 | Tape and Reel | 3 | SOT-323 | SOT | No | Unknown | No | Yes | AEC-Q101 | Yes | Unknown | EAR99 | No | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BAR81WH6327XTSA1
Diode PIN Switch 30V 100mA 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
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Desde $0.2282 hasta $0.2399
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Infineon Technologies AG | PIN | Switch | Single Dual Anode Dual Cathode | 30 | 100 | 1@5mA | 1 | 100 | 0.9@3V | 0.08 | Tape and Reel | 4 | SOT-343 | SOT | No | No | No | No | No | EAR99 | No | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BB439E6327HTSA1
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Infineon Technologies AG | Varactores | Tuner | VHF | Single | 30 | 0.02 | 0.02 | 6 | 2V/25V | 280(Typ) | 31.5@2V | Tape and Reel | 2 | SOD-323 | SOD | No | No | Unknown | Yes | Unknown | EAR99 | No | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IRF540NPBF
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IPA60R180P7XKSA1
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T830N14TOFXPSA1
Thyristor PCT 1.4kV 1500A(RMS) 14.5kA 2-Pin T5814K0-1 Tray
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IAUT240N08S5N019ATMA1
Trans MOSFET N-CH 80V 240A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | N | Single Seven Source | Enhancement | 1 | 80 | ±20 | 3.8 | 230000 | 240 | 1.9@10V | 100@10V | 100 | 7126@40V | 1.5@10V|2@10V | Tape and Reel | 9 | HSOF | SO | No | Yes | AEC-Q101 | Yes | Unknown | EAR99 | Yes | Yes | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BCR192E6327HTSA1
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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Infineon Technologies AG | BJT digital | PNP | Single | 50 | 0.1 | 22 | 0.47 | 200 | 70@5mA@5V | 0.3@0.5mA@10mA | Tape and Reel | 3 | SOT-23 | SOT | No | No | Yes | AEC-Q101 | Yes | Unknown | EAR99 | No | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IMW120R014M1HXKSA1
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 127A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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105
Desde $17.10 hasta $25.20
Por unidad
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Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | SiC | N | Single | Enhancement | 1 | 1200 | 20 | 62 | 5.2 | 455000 | 127 | 18.4@18V | 145@18V | 211 | 4580@800V | 14@18V|17.9@15V | Tube | 3 | TO-247 | TO | Unknown | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BSZ123N08NS3GATMA1
Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
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Existencias
30,000
Desde $0.4512 hasta $0.4611
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | N | Single Quad Drain Triple Source | Enhancement | 1 | 80 | ±20 | 60 | 3.5 | 2100 | 10 | 12.3@10V | 19@10V | 1.9 | 19 | 350 | 1300@40V | 10.3@10V|13.9@6V | Tape and Reel | 8 | TSDSON EP | SON | No | Unknown | No | Unknown | Yes | Unknown | EAR99 | Yes | Yes | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IAUS200N08S5N023ATMA1
Trans MOSFET N-CH 80V 200A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101
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1,590
Desde $2.48 hasta $3.67
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | N | Single Seven Source | Enhancement | 1 | 80 | ±20 | 3.8 | 200000 | 200 | 2.3@10V | 85@10V | 85 | 5900@40V | 1.8@10V|2.7@10V | Tape and Reel | 9 | HSOG | SO | No | Yes | AEC-Q101 | Yes | Unknown | EAR99 | Yes | Yes | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFP4368PBFXKMA1
Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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Existencias
3,658
Desde $2.8409 hasta $5.2096
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 75 | ±20 | 4 | 520000 | 350 | 1.85@10V | 380@10V | 380 | 19230@50V | 3 | TO-247AC | TO | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IDP08E65D2XKSA1
Diode Switching 650V 16A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
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Existencias
1,000
Desde $0.5145 hasta $0.7016
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | Rectifiers | Switching Diode | Single | 650 | 16 | 60 | 2.2@8A | 40 | 56000 | 40 | Tube | 2 | TO-220 | TO | No | No | No | No | No | EAR99 | No | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
F417MR12W1M1HB76BPSA1
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 45A 22-Pin Tray
|
Existencias
3
$78.58
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | N | Quad | Enhancement | 4 | 1200 | 20 | 45 | 16.2(Typ)@18V | 149@18V | 4400@800V | Tray | 22 | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
AUIRFB4410
Trans MOSFET N-CH Si 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Automotive AEC-Q101
|
Existencias
232
Desde $0.8933 hasta $0.9284
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 100 | ±20 | 4 | 200000 | 88 | 10@10V | 120@10V | 120 | 5150@50V | Tube | 3 | TO-220AB | TO | No | Yes | No | Yes | AEC-Q101 | Yes | Unknown | EAR99 | No | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF7389TRPBF
Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
|
Existencias
36,000
Desde $0.3299 hasta $0.3549
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | N|P | Dual Dual Drain | Enhancement | 2 | 30 | ±20 | 50 | 1 | 2500 | 7.3@N Channel|5.3@P Channel | 29@10V@N Channel|58@10V@P Channel | 22@10V@N Channel|23@10V@P Channel | 22@N Channel|23@P Channel | 650@25V@N Channel|710@25V@P Channel | Tape and Reel | Unknown | 8 | SOIC | SO | No | Unknown | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB65R190C7ATMA2
Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Existencias
1,000
$1.2741
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | N | Single | Enhancement | 1 | 650 | 20 | 62 | 4 | 72000 | 13 | 190@10V | 23@10V | 23 | 1150@400V | 168@10V | Tape and Reel | 3 | D2PAK | TO | No | No | No | No | EAR99 | Yes | Yes | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPL60R365P7AUMA1
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 4-Pin VSON EP T/R
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Existencias
5,037
$0.9033
Por unidad
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Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | N | Single Triple Source | Enhancement | 1 | 600 | 20 | 62 | 4 | 46000 | 10 | 365@10V | 13@10V | 13 | 555@400V | 310@10V | 4 | VSON EP | SON | No | No | No | No | EAR99 | Yes | Yes |