Infineon Technologies AG Diodos, transistores y tiristores
8,154 Infineon Technologies AG Diodos, transistores y tiristores
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| Nº de referencia | Precio | Existencias | Fabricante | Categoría | Type | Technology | Number of SCRs/Diodes | Maximum Rate of Rise of Off-State Voltage - (V/us) | Maximum Breakover Voltage - (V) | Category | Bridge Type | Surge Current Rating - (A) | Material | Diode Type | Configuration | Channel Type | Maximum Reverse Voltage - (V) | Maximum Rate of Rise of On-State Current - (A/us) | Channel Mode | Peak Reverse Repetitive Voltage - (V) | Maximum Gate Trigger Voltage - (V) | Maximum Gate Emitter Voltage - (V) | Maximum Collector-Emitter Voltage - (V) | Peak Average Forward Current - (A) | Maximum Reverse Current - (uA) | Maximum Gate Trigger Current - (mA) | Maximum Continuous Forward Current - (A) | Maximum Collector-Base Voltage - (V) | Repetitive Peak Forward Blocking Voltage - (V) | Peak RMS Reverse Voltage - (V) | Number of Elements per Chip | Mode of Operation | Minimum Tuning Ratio | Maximum Holding Current - (mA) | Maximum Continuous DC Collector Current - (A) | Typical Input Resistance - (kOhm) | Tuning Ratio Test Condition | Peak Non-Repetitive Forward Surge Current - (A) | Maximum Series Resistance @ Maximum IF - (Ohm) | Maximum Forward Voltage - (V) | Maximum Drain-Source Voltage - (V) | Maximum Base-Emitter Voltage - (V) | Maximum Base-Emitter Saturation Voltage - (V) | Typical Resistor Ratio | Repetitive Peak Reverse Voltage - (V) | Peak Reverse Current - (uA) | Maximum Series Resistance @ Minimum IF - (Ohm) | Maximum Reverse Leakage Current - (uA) | Maximum Gate-Source Voltage - (V) | Maximum DC Collector Current - (A) | Peak On-State Voltage - (V) | Operational Bias Conditions | Minimum Diode Capacitance - (pF) | Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | Minimum DC Current Gain | Maximum Diode Capacitance - (pF) | Maximum Continuous Drain Current - (A) | Rated Average On-State Current - (A) | Peak Reverse Recovery Time - (ns) | Minimum DC Current Gain Range | Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | RMS On-State Current - (A) | Repetitive Peak Off-State Current - (mA) | Maximum Junction Ambient Thermal Resistance | Frequency Band | Maximum Junction Case Thermal Resistance | Typical Input Capacitance - (pF) | Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | Maximum Transition Frequency - (MHz) | Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage - (V) | Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | Maximum Output Power - (W) | Typical Output Capacitance - (pF) | Maximum Power Dissipation - (mW) | Minimum Frequency - (MHz) | Maximum Power 1dB Compression - (dBm) | Maximum Frequency - (MHz) | Maximum Drain-Source Resistance - (Ohm) | Typical Power Gain - (dB) | Typical 3rd Order Intercept Point - (dBm) | Maximum Noise Figure - (dB) | Typical Drain-Source Resistance @ 25°C - (mOhm) | Process Technology | Packaging | Rad Hard | Pin Count | Supplier Package | Standard Package Name | CECC Qualified | ESD Protection | ESCC Qualified | Military | AEC Qualified | AEC Qualified Number | Auto motive | P PAP | ECCN Code | SVHC | SVHC Exceeds Threshold |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IDH10G65C5XKSA2
Diode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
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Existencias
3,734
Desde $1.4985 hasta $4.1995
Por unidad
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Infineon Technologies AG | Rectifiers | Schottky Diode | SiC | Single | 650 | 10 | 82 | 1.7 | 180 | 300(Typ) | 62K/W | 1.7K/W | 89000 | Tube | 2 | TO-220 | TO | Unknown | No | No | No | No | EAR99 | No | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FF11MR12W2M1HB70BPSA1
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A 33-Pin Tray
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Existencias
15
$47.36
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | SiC | Hex | N | Enhancement | 6 | 1200 | 20 | 75 | 223@18V | 6600@800V | 10.8(Typ)@18V | Tray | 33 | Unknown | Yes | Unknown | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IDK16G120C5XTMA1
Diode Schottky SiC 1.2KV 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Existencias
927
Desde $7.15 hasta $7.35
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | Rectifiers | Schottky Diode | SiC | Single Dual Cathode | 1200 | 40 | 140 | 1.95@16A | 80 | 730(Typ) | 250000 | Tape and Reel | 3 | D2PAK | TO | No | No | No | No | EAR99 | No | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BSC010NE2LSIATMA1
Trans MOSFET N-CH 25V 38A 8-Pin TDSON EP T/R
|
Existencias
238
Desde $0.5597 hasta $1.0419
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | Single Quad Drain Triple Source | N | Enhancement | 1 | 25 | 20 | 2 | 38 | 29@4.5V|59@10V | 50 | 20 | 59 | 4200@12V | 1800 | 2500 | 1.05@10V | 0.9@10V|1.1@4.5V | Tape and Reel | Unknown | 8 | TDSON EP | SON | No | Yes | No | No | No | No | EAR99 | Yes | Yes | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IKZA50N65SS5XKSA1
Trans IGBT Chip Hybrid CoolSiC TM IGBT 650V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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Existencias
238
$1.272
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | Chip IGBT | Trench Stop 5 | 650 | 274 | 4 | TO-247 | TO | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IQD009N06NM5SCATMA1
Trans MOSFET N-CH 60V 42A 8-Pin WHSON EP T/R
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Existencias
100
Desde $2.276 hasta $2.778
Por unidad
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Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | Single Quad Drain Triple Source | N | Enhancement | 1 | 60 | 20 | 42 | 120@10V | 120 | 9000@30V | 3000 | 0.9@10V | 8 | WHSON EP | Unknown | Yes | Unknown | EAR99 | Yes | Yes | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRLR2905TRPBF
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
|
Existencias
65,921
$0.4165
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | Si | Single | N | Enhancement | 1 | 55 | ±16 | 2 | 42 | 48(Max)@5V | 1700@25V | 110000 | 27@10V | Tape and Reel | Unknown | 3 | DPAK | TO | No | Unknown | No | No | No | No | EAR99 | Yes | Yes | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FF300R12KE3HOSA1
Trans IGBT Module N-CH 1200V 440A 1450W 7-Pin 62MM-1 Tray
|
Existencias
6
$52.28
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | Módulos IGBT | Dual | N | ±20 | 1200 | 440 | 1450 | Tray | 7 | 62MM-1 | No | No | Unknown | Yes | Unknown | EAR99 | No | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IMDQ75R027M1HXUMA1
Trans MOSFET N-CH SiC 750V 64A 22-Pin HDSOP EP T/R
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Existencias
50
Desde $6.9025 hasta $4.11
Por unidad
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Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | SiC | Single Ten Source Eleven Drain | N | Enhancement | 1 | 750 | 23 | 64 | 49@18V | 1668@500V | 273000 | 36@18V | 22 | HDSOP EP | SO | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IDWD150E65E7XKSA1
Diode Switching 650V 200A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
|
Existencias
112
$1.884
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | Rectifiers | Switching Diode | Single | 650 | 200 | 600 | 2.1@150A | 20 | 97(Typ) | 453000 | Tube | 2 | TO-247 | TO | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IQDH45N04LM6SCATMA1
Trans MOSFET N-CH 40V 58A 8-Pin WHSON EP T/R
|
Existencias
84
Desde $1.833 hasta $2.052
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | Single Quad Drain Triple Source | N | Enhancement | 1 | 40 | 20 | 58 | 62@4.5V|129@10V | 129 | 9000@20V | 3000 | 0.49@10V | 8 | WHSON EP | No | No | No | EAR99 | Yes | Yes | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FF1200XTR17T2P5PBPSA1
Trans IGBT Module N-CH 1700V 1.07KA 15-Pin Tray
|
Existencias
1
$1,041.06
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | Módulos IGBT | Dual | N | ±20 | 1700 | 1070 | Tray | 15 | Yes | 3A228.c | Yes | Yes | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IKP06N60TXKSA1
Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
|
Existencias
482
Desde $0.814 hasta $1.86
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | Chip IGBT | Single | N | ±20 | 600 | 12 | 88 | Tube | 3 | TO-220AB | TO | No | No | Unknown | Yes | Unknown | EAR99 | No | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SPA15N60C3XKSA1
SPA15N60C3XKSA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube - Arrow.com
|
Existencias
1,000
$1.521
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | Single | N | Enhancement | 1 | 600 | ±20 | 3.9 | 15 | 63@10V | 80 | 3.7 | 63 | 1660@25V | 34000 | 280@10V | 250@10V | Tube | 3 | TO-220FP | TO | No | Unknown | No | No | No | No | EAR99 | No | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BSC014N06NSATMA1
Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
|
Existencias
400
Desde $2.43 hasta $3.79
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | Single Quad Drain Triple Source | N | Enhancement | 1 | 60 | ±20 | 3.3 | 31 | 89@10V | 50 | 0.8 | 89 | 6500@30V | 3000 | 1.45@10V | 1.2@10V|1.6@6V | Tape and Reel | 8 | TDSON EP | SON | No | Unknown | No | No | No | No | EAR99 | Yes | Yes | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BSZ018NE2LSIATMA1
Trans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R
|
Existencias
3,090
Desde $0.5729 hasta $0.6509
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | Single Quad Drain Triple Source | N | Enhancement | 1 | 25 | ±20 | 2 | 22 | 17@4.5V|36@10V | 36 | 2500@12V | 2100 | 1.8@10V | 1.5@10V|2@4.5V | Tape and Reel | 8 | TSDSON EP | SON | No | No | No | No | No | EAR99 | Yes | Yes | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SPB18P06PGATMA1
Trans MOSFET P-CH 60V 18.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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Existencias
5,000
Desde $0.4427 hasta $0.4767
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | Single | P | Enhancement | 1 | 60 | ±20 | 18.7 | 22@10V | 22 | 690@25V | 81100 | 130@10V | 101@10V | Tape and Reel | 3 | D2PAK | TO | No | Yes | No | Yes | AEC-Q101 | Yes | Unknown | EAR99 | Yes | Yes | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPG16N10S461AATMA1
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
|
Existencias
5,000
$0.7729
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | Dual Dual Drain | N | Enhancement | 2 | 100 | ±20 | 3.5 | 16 | 5.4@10V | 5.4 | 374@25V | 29000 | 61@10V | 53@10V | Tape and Reel | 8 | TDSON EP | SON | No | Yes | AEC-Q101 | Yes | Unknown | EAR99 | Yes | Yes | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPL60R075CFD7AUMA1
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
|
Existencias
3,000
$2.528
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | Single Triple Source | N | Enhancement | 1 | 600 | 20 | 4.5 | 33 | 67@10V | 62 | 67 | 2721@400V | 189000 | 75@10V | 66@10V | CoolMOS CFD7 | Tape and Reel | 4 | VSON EP | SON | No | No | No | No | EAR99 | Yes | Yes | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPA60R145CFD7XKSA1
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
|
Existencias
485
$1.858
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | Single | N | Enhancement | 1 | 600 | 20 | 4.5 | 9 | 31@10V | 31 | 1330@400V | 27000 | 145@10V | 127@10V | Tube | 3 | TO-220FP | TO | No | No | No | No | EAR99 | No | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BCR183SH6327XTSA1
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
|
Existencias
18,000
$0.098
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | BJT digital | PNP | Dual | 50 | 0.1 | 10 | 1 | 30@5mA@5V | 0.3@0.5mA@10mA | 250 | Tape and Reel | 6 | SOT-363 | SOT | No | No | Yes | AEC-Q101 | Yes | Unknown | EAR99 | No | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FP15R12KE3GBPSA1
Trans IGBT Module N-CH 1200V 25A 105W 24-Pin Tray
|
Existencias
15
$118.89
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | Módulos IGBT | Hex | N | ±20 | 1200 | 25 | 105 | 24 | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GS0650111LTRXUMA1 Trans MOSFET N-CH GaN 650V 11A 8-Pin VSON EP T/R |
Existencias
1,854
Desde $2.94 hasta $5.23
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | GaN | Single Quad Drain | N | Enhancement | 1 | 650 | 7 | 11 | 2.2@6V | 70@400V | 190@6V | 8 | VSON EP | No | No | No | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
DD171N18KHPSA1
Diode 1.8KV 171A 3-Pin PB34-1 Tray
|
Existencias
1
$136.63
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | Rectifiers | Dual Series | 1800 | 171 | 6600 | 1.26@500A | 20000 | Tray | 3 | PB34-1 | Unknown | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IQD005N04NM6SCATMA1
Trans MOSFET N-CH 40V 57A 8-Pin WHSON EP T/R
|
Existencias
96
Desde $1.8046 hasta $1.2975
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | Single Quad Drain Triple Source | N | Enhancement | 1 | 40 | 20 | 57 | 130@10V | 130 | 9000@20V | 3000 | 0.49@10V | 8 | WHSON EP | Unknown | Yes | Unknown | EAR99 | Yes | Yes |