Spécifications techniques du produit
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
COMPONENTS
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single Quad Drain Triple Source
Prozesstechnologie
0.6um
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
P
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
60
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
3
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
150@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
16@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
16
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
732@30V
Max. Leistungsaufnahme (mW)
2500
Typische Abfallzeit (ns)
10
Typische Anstiegszeit (ns)
11
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
10
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
8
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
175
Verpackung
Tape and Reel
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
1.5(Max)
Verpackungsbreite
3.9
Verpackungslänge
4.9
Leiterplatte geändert
8
Standard-Verpackungsname
SO
Lieferantenverpackung
SOIC
Stiftanzahl
8
Leitungsform
Gull-wing
Quantité de commande