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IPN95R3K7P7ATMA1|INFINEON|simage
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MOSFET

IPN95R3K7P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 950V 2A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

Infineon Technologies AG
Fiches techniques 

Spécifications techniques du produit
  • RoHS (Union Européenne)
    Compliant with Exemption
  • ECCN (États-Unis)
    EAR99
  • Statut de pièce
    Active
  • Code HTS
    8542.39.00.90
  • SVHC
    Yes
  • Taux de SVHC dépassant le seuil autorisé
    Yes
  • Automotive
    Yes
  • PPAP
    Unknown
  • Catégorie
    Power MOSFET
  • Configuration
    Single
  • Mode canal
    Enhancement
  • Type de canal
    N
  • Nombre d'éléments par puce
    1
  • Tension drain-source maximale (V)
    950
  • Tension minimale de source barrière (V)
    20
  • Tension seuil de barrière maximale (V)
    3.5
  • Operating Junction Temperature (°C)
    -55 to 150
  • Courant de drain continu maximal (A)
    2
  • Résistance maximale de source de drainage (mOhm)
    3700@10V
  • Charge de barrière type @ Vgs (nC)
    6@10V
  • Charge de barrière type @ 10V (nC)
    6
  • Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)
    196@400V
  • Dissipation de puissance maximale (mW)
    6000
  • Temps de descente type (ns)
    40
  • Temps de montée type (ns)
    23
  • Délai type de mise à l'arrêt (ns)
    46
  • Délai type de mise en marche (ns)
    7
  • Température de fonctionnement minimale (°C)
    -55
  • Température de fonctionnement maximale (°C)
    150
  • Emballage
    Tape and Reel
  • Résistance type à une source de drainage @ 25°C (mOhm)
    3110@10V
  • Courant maximal de drainage pulsé @ TC=25°C (A)
    5
  • Installation
    Surface Mount
  • Hauteur du paquet
    1.6
  • Largeur du paquet
    3.5
  • Longueur du paquet
    6.5
  • Carte électronique changée
    2
  • Onglet
    Tab
  • Nom de lemballage standard
    SOT
  • Conditionnement du fournisseur
    SOT-223
  • Décompte de broches
    3
Quantité de commande

Documentation et ressources

Fiches techniques
Ressources de conception