Fototransistor

PT5529B/L2/H2-F

Phototransistor Chip Silicon 940nm 3-Pin Bag

EVERLIGHT Electronics Co., Ltd

Specifiche Tecniche del Prodotto

• RoHS EU

  Compliant

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Active

• HTS

  8541.49.95.00

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Typ

  Chip

• Fototransistortyp

  Phototransistor

• Linsenformart

  Domed

• Linsenfarbe

  Black

• Material

  Silicon

• Anzahl der Kanäle pro Chip

  1

• Polarität

  NPN

• Ansichtorientierung

  Side View

• Spitzenwellenlänge (nm)

  940

• Max. Anstiegszeit (ns)

  15000(Typ)

• Max. Abfallzeit (ns)

  15000(Typ)

• Max. Kollektorstrom (mA)

  20

• Max. Dunkelstrom (nA)

  100

• Max. Emitter-Kollektorspannung (V)

  5

• Max. Kollektor-Emitterspannung (V)

  30

• Max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (V)

  0.4

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  75

• Herstellungstechnologie

  NPN Transistor

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -40

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  85

• Verpackung

  Bag

• Befestigung

  Through Hole

• Verpackungshöhe

  4.5 mm

• Verpackungsbreite

  2.8 mm

• Verpackungslänge

  4.8 mm

• Leiterplatte geändert

  3

• Stiftanzahl

  3

• Leitungsform

  Through Hole