Specifiche Tecniche del Prodotto
RoHS (Union Européenne)
Compliant
ECCN (États-Unis)
EAR99
Statut de pièce
Active
Code HTS
8541.49.70.80
Automotive
No
PPAP
No
Type
Chip
Type de phototransistor
Phototransistor
Type de forme d'objectif
Domed
Couleur d'objectif
Clear
Matériau
Silicon
Nombre de canaux par puce
1
Polarité
NPN
Orientation de visualisation
Side View
Courant de lumière maximal (uA)
2400
Courant collecteur maximal (mA)
20
Courant d'obscurité maximal (nA)
100(Typ)
Tension maximale de collecteur émetteur (V)
5
Tension collecteur-émetteur maximale (V)
30
Tension de saturation maximale de collecteur-émetteur (V)
0.4(Typ)
Dissipation de puissance maximale (mW)
100
Technologie de fabrication
NPN Transistor
Température de fonctionnement minimale (°C)
-40
Température de fonctionnement maximale (°C)
100
Emballage
Bag
Installation
Through Hole
Hauteur du paquet
5.84(Max)
Largeur du paquet
2.54(Max)
Longueur du paquet
4.57(Max)
Carte électronique changée
2
Décompte de broches
2
Forme de sonde
Through Hole