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Fototransistor

OP506W

Phototransistor Chip Silicon 935nm 2-Pin T-1 Bag

TT Electronics / Optek Technology
Schede tecniche 

Specifiche Tecniche del Prodotto
  • RoHS EU
    Compliant
  • ECCN (USA)
    EAR99
  • Part Status
    Active
  • HTS
    8541.49.70.80
  • Automotive
    No
  • PPAP
    No
  • Typ
    Chip
  • Fototransistortyp
    Phototransistor
  • Linsenformart
    Flat
  • Linsenfarbe
    Blue
  • Material
    Silicon
  • Anzahl der Kanäle pro Chip
    1
  • Polarität
    NPN
  • Ansichtorientierung
    Side View
  • Spitzenwellenlänge (nm)
    935
  • Max. Lichtstrom (uA)
    100(Min)
  • Max. Kollektorstrom (mA)
    20
  • Max. Dunkelstrom (nA)
    100
  • Max. Emitter-Kollektorspannung (V)
    5
  • Max. Kollektor-Emitterspannung (V)
    30
  • Max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (V)
    0.4
  • Max. Leistungsaufnahme (mW)
    100
  • Herstellungstechnologie
    NPN Transistor
  • Mindestbetriebstemperatur (°C)
    -40
  • Max. Betriebstemperatur (°C)
    100
  • Verpackung
    Bag
  • Durchmesser
    4.19(Max)
  • Befestigung
    Through Hole
  • Verpackungshöhe
    3.18(Max) + 0.76
  • Leiterplatte geändert
    2
  • Lieferantenverpackung
    T-1
  • Stiftanzahl
    2
  • Leitungsform
    Through Hole

Documentazione e Risorse

Schede tecniche
Risorse di progettazione