MOSFETs

SIRA99DP-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 195A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

Vishay

Especificaciones técnicas del producto

• RoHS EU

  Compliant with Exemption

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Active

• HTS

  8541.29.00.55

• SVHC

  Yes

• SVHC überschreitet Schwellenwert

  Yes

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Kategorie

  Power MOSFET

• Konfiguration

  Single Quad Drain Triple Source

• Kanalmodus

  Enhancement

• Kanalart

  P

• Anzahl von Elementen pro Chip

  1

• Max. Drain-Source-Spannung (V)

  30

• Max. Gate-Source-Spannung (V)

  16

• Max. Gate-Schwellwertspannung (V)

  2.5

• Operating Junction Temperature (°C)

  -55 to 150

• Max. Dauer-Drain-Strom (A)

  195

• Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)

  100

• Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)

  1

• Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)

  1.7@10V

• Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)

  172.5@10V, 84@4.5V

• Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)

  172.5

• Typische Gate-Drain-Ladung (nC)

  27.5

• Typische Gate-Source-Ladung (nC)

  35.6

• Typische Umkehr-Erholungsladung (nC)

  125

• Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)

  10995@15V

• Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF)

  510@15V

• Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V)

  1

• Typische Ausgangskapazität (pF)

  5000

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  6350

• Typische Abfallzeit (ns)

  57, 16

• Typische Anstiegszeit (ns)

  183, 19

• Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)

  51, 64

• Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)

  69, 23

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -55

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  150

• Verpackung

  Tape and Reel

• Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)

  2.2@4.5V, 1.3@10V

• Max. Leistungsaufnahme auf Leiterplatte bei TC = 25 °C (W)

  6.35

• Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A)

  400

• Max. thermischer Widerstand, Sperrschichtumgebung auf Leiterplatte (°C/W)

  20

• Typische Dioden-Durchlassspannung (V)

  0.71

• Typische Gate-Plateau-Spannung (V)

  3.25

• Typische Sperrerholungszeit (ns)

  75

• Max. Dioden-Durchlassspannung (V)

  1.1

• Mindest-Gate-Widerstand (Ohm)

  0.5

• Max. Gate-Widerstand (Ohm)

  2.2

• Max. positive Gate-Source-Spannung (V)

  16

• Max. Dauer-Drain-Strombereich auf Leiterplatte bei TC = 25 °C (A)

  47.9

• Befestigung

  Surface Mount

• Verpackungshöhe

  1.07(Max)

• Verpackungsbreite

  5.89

• Verpackungslänge

  4.9

• Leiterplatte geändert

  8

• Standard-Verpackungsname

  SO

• Lieferantenverpackung

  PowerPAK SO EP

• Stiftanzahl

  8

• Leitungsform

  No Lead

• Family/Series

  SiRA99DP

• ROHS Version

  2011/65/EU, 2015/863

• MSL

  1