Chips IGBT

NGTB40N65IHL2WG

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

onsemi

Especificaciones técnicas del producto

• RoHS EU

  Compliant

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Obsolete

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Technologie

  Field Stop, Trench

• Kanalart

  N

• Konfiguration

  Single

• Max. Gate-Emitter-Spannung (V)

  ±20

• Max. Kollektor-Emitterspannung (V)

  650

• Typische Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (V)

  1.8

• Max. Kollektordauerstrom (A)

  80

• Max. Gate-Emitter-Leckstrom (uA)

  0.1

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  300

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -55

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  175

• Verpackung

  Tube

• Befestigung

  Through Hole

• Verpackungshöhe

  21.34(Max)

• Verpackungsbreite

  5.3(Max)

• Verpackungslänge

  16.25(Max)

• Leiterplatte geändert

  3

• Tab

  Tab

• Standard-Verpackungsname

  TO

• Lieferantenverpackung

  TO-247

• Stiftanzahl

  3

• Leitungsform

  Through Hole

• Family/Series

  NGTB40N65IHL2WG

• ROHS Version

  2011/65/EU, 2015/863

• Quantity Packaging

  30