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BJT RF

JANTX2N2857

Trans RF BJT NPN 15V 0.04A 300mW 4-Pin TO-72

Semicoa Semiconductors
Hojas de datos 

Especificaciones técnicas del producto
  • RoHS EU
    Not Compliant
  • ECCN (USA)
    EAR99
  • Part Status
    Active
  • HTS
    COMPONENTS
  • Automotive
    No
  • PPAP
    No
  • Typ
    NPN
  • Material
    Si
  • Konfiguration
    Single
  • Anzahl von Elementen pro Chip
    1
  • Max. Kollektor-Basis-Spannung (V)
    30
  • Max. Kollektor-Emitterspannung (V)
    15
  • Max. Kollektor-Emitter-Spannungsbereich (V)
    <20
  • Max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (V)
    0.4@1mA@10mA
  • Max. Emitter-Basis-Spannung (V)
    3
  • Max. Basis-Emitter-Sättigungsspannung (V)
    1@1mA@10mA
  • Max. DC-Kollektorstrom (A)
    0.04
  • Max. DC-Kollektorstrombereich (A)
    0.001 to 0.06
  • Max. Emitter-Reststrom (nA)
    10000
  • Max. Kollektorsperrstrom (nA)
    1000
  • Vorspannungsbedingungen im Betrieb
    6V/1.5mA
  • Mindestgleichstromverstärkung
    30@3mA@1V
  • Mindest-Gleichstromverstärkungsbereich
    30 to 50
  • Max. thermischer Widerstand, Sperrschichtumgebung
    550
  • Max. Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Gehäuse
    300
  • Typische Ausgangskapazität (pF)
    1(Max)
  • Max. Leistungsaufnahme (mW)
    300
  • Typischer Leistungsgewinn (dB)
    21
  • Max. Rauschmaß (dB)
    4.5
  • Mindestbetriebstemperatur (°C)
    -65
  • Max. Betriebstemperatur (°C)
    200
  • Temperaturbereich Lieferant
    Military
  • Durchmesser
    5.84(Max)
  • Befestigung
    Through Hole
  • Verpackungshöhe
    5.33(Max)
  • Leiterplatte geändert
    4
  • Standard-Verpackungsname
    TO
  • Lieferantenverpackung
    TO-72
  • Stiftanzahl
    4
Cantidad de Pedido

Documentación y Recursos

Hojas de datos
Recursos de diseño