El BJT RF es un transistor de unión bipolar que está diseñado para operar eficientemente en frecuencias de RF más altas en el rango de los cientos de MHz a GHz. Un BJT estándar puede tener pérdidas no deseadas en la transferencia de potencia y una mala funcionalidad característica del transistor en esas mismas frecuencias.

Los componentes de BJT RF se utilizan con mucha frecuencia en aplicaciones de amplificación de potencia. Para las señales de alta frecuencia, como RF, están diseñaos para tener una muy buena respuesta lineal, lo que significa que la proporcionalidad entre la señal de entrada y la señal de salida sigue siendo bastante estable, siempre y cuando las calificaciones de la región lineal sean continuas y sostenidas. También se pueden utilizar como un transistor de conmutación, como un MOSFET, fuera de la región lineal y dentro de su modo de saturación. En este caso, la señal debe traducirse a una modulación de ancho de pulso, pasarse y amplificarse a través del BJT, donde la señal vuelve a cambiar a la señal original.

Los BJT RF generalmente ofrecen algunas características superiores en comparación con los RF MOSFET. Mantienen una mayor linealidad en su región lineal y son mucho más económicos para la misma funcionalidad. Tienen impedancias de salida mucho menores y una ganancia potencial mucho mayor.