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Especificaciones técnicas del producto
RoHS EU
Compliant with Exemption
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Obsolete
HTS
8541.29.00.95
SVHC
Yes
SVHC überschreitet Schwellenwert
Yes
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
P
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
60
Max. Gate-Source-Spannung (V)
20
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
4.3
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
400@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
6.7@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
6.7
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
260@30V
Max. Leistungsaufnahme (mW)
19000
Typische Abfallzeit (ns)
4
Typische Anstiegszeit (ns)
6
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
10
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
4
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
175
Verpackung
Tape and Reel
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
2.3
Verpackungsbreite
6.22
Verpackungslänge
6.5
Leiterplatte geändert
2
Tab
Tab
Standard-Verpackungsname
TO
Lieferantenverpackung
DPAK
Stiftanzahl
3
Cantidad de Pedido