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Especificaciones técnicas del producto
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
COMPONENTS
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single Quad Drain
Prozesstechnologie
0.35um to 2um
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
40
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
3
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
10
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
100
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
1
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
14@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
6.4@4.5V, 14@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
14
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
901@20V
Max. Leistungsaufnahme (mW)
2400
Typische Abfallzeit (ns)
1.8
Typische Anstiegszeit (ns)
1.8
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
17
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
6.4
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Verpackung
Tape and Reel
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
0.75(Max)
Verpackungsbreite
2
Verpackungslänge
2
Leiterplatte geändert
6
Standard-Verpackungsname
DFN
Lieferantenverpackung
WDFN EP
Stiftanzahl
6
Leitungsform
No Lead
Cantidad de Pedido