You may be eligible for better pricing on this part. Login in to check
Especificaciones técnicas del producto
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.55
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Material
Si
Konfiguration
Single
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
20
Max. Gate-Source-Spannung (V)
10
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
1.35
Operating Junction Temperature (°C)
-55 to 150
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
0.9
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
25
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
50
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
1190@8V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
0.216@4.5V
Typische Gate-Drain-Ladung (nC)
0.027
Typische Gate-Source-Ladung (nC)
0.077
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
8.1@10V
Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF)
0.13@10V
Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V)
0.85
Typische Ausgangskapazität (pF)
5.9
Max. Leistungsaufnahme (mW)
1400
Typische Abfallzeit (ns)
7
Typische Anstiegszeit (ns)
1
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
7
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
3
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Verpackung
Tape and Reel
Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)
2220@2.5V, 1170@4.5V, 990@8V
Max. Leistungsaufnahme auf Leiterplatte bei TC = 25 °C (W)
1.4
Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A)
1.6
Max. thermischer Widerstand, Sperrschichtumgebung auf Leiterplatte (°C/W)
255
Typische Dioden-Durchlassspannung (V)
0.85
Typische Gate-Plateau-Spannung (V)
2
Max. Dioden-Durchlassspannung (V)
1
Typische Gate-Schwellwertspannung (V)
1.1
Max. positive Gate-Source-Spannung (V)
10
Max. Dauer-Drain-Strombereich auf Leiterplatte bei TC = 25 °C (A)
0.9
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
0.36(Max)
Verpackungsbreite
0.69
Verpackungslänge
0.6
Leiterplatte geändert
3
Lieferantenverpackung
PicoStar
Stiftanzahl
3
Family/Series
CSD15380F3
ROHS Version
2011/65/EU, 2015/863
Quantity Packaging
3000
MSL
1
Cantidad de Pedido