MOSFETs

AMM12S18LB1ZXKMA1

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 85A

Infineon Technologies AG

Especificaciones técnicas del producto

• RoHS EU

  Compliant

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Active

• Automotive

  Yes

• Kategorie

  Power MOSFET

• Konfiguration

  Hex

• Kanalmodus

  Enhancement

• Kanalart

  N

• Anzahl von Elementen pro Chip

  6

• Max. Drain-Source-Spannung (V)

  1200

• Max. Gate-Source-Spannung (V)

  20

• Operating Junction Temperature (°C)

  -40 to 175

• Max. Dauer-Drain-Strom (A)

  85

• Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)

  26.4@18V

• Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)

  83@18V

• Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)

  2704@800V

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  312000

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -40

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  175

• Temperaturbereich Lieferant

  Automotive