Una memoria de acceso aleatorio no volátil (NVRAM) es cualquier tecnología de memoria de estado sólido que conserva la información cuando se apaga. Generalmente, NVRAM no se refiere a dispositivos de almacenamiento electromecánicos como unidades del disco duro. Por el momento, la forma más prevalente de NVRAM es la memoria Flash.

Históricamente, los dispositivos NVRAM han quedado detrás de la memoria volátil en términos de velocidad y rendimiento. Aunque esa brecha se ha cerrado significativamente gracias a la memoria Flash, aún queda mucho margen para las mejoras. De mayor preocupación es el rendimiento de escritura relativamente lento de la memoria Flash (decenas de microsegundos) en comparación con la DRAM (decenas de nanosegundos) y la SRAM (nanosegundos). Además, una compuerta flotante también tiene un número aproximado de escrituras que puede tolerar antes de volverse poco confiable. Este fenómeno se conoce como resistencia de escritura y puede variar entre unos pocos miles de ciclos y más de un millón de ciclos, dependiendo de la tecnología flash.

Existen otras tecnologías NVRAM además de Flash, pero actualmente están rezagados en términos de capacidad y costo. La RAM ferroeléctrica (FeRAM) utiliza campos eléctricos para orientar el momento dipolo de una fina película. La RAM magnética (MRAM) almacena información mediante el control del espín del electrón que afecta a la resistencia cuando realiza lecturas. La RAM de cambio de fase (PRAM) utiliza la misma tecnología que los CD y DVD grabables, pero su lectura también siente el cambio en la resistencia.