Toshiba Diodes, Transistors and Thyristors
3,797 Toshiba Diodes, Transistors and Thyristors
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| Nº de referencia | Precio | Existencias | Fabricante | Categoría | Type | Maximum Rate of Rise of Off-State Voltage - (V/us) | Category | Surge Current Rating - (A) | Material | Configuration | Channel Type | Maximum Reverse Voltage - (V) | Maximum Rate of Rise of On-State Current - (A/us) | Channel Mode | Typical Zener Voltage - (V) | Peak Reverse Repetitive Voltage - (V) | Maximum Gate Trigger Voltage - (V) | Maximum Gate Emitter Voltage - (V) | Maximum Collector-Emitter Voltage - (V) | Zener Voltage Tolerance | Maximum Reverse Current - (uA) | Maximum Gate Trigger Current - (mA) | Maximum Continuous Forward Current - (A) | Maximum Collector-Base Voltage - (V) | Repetitive Peak Forward Blocking Voltage - (V) | Number of Elements per Chip | Minimum Tuning Ratio | Maximum Holding Current - (mA) | Maximum Drain-Gate Voltage - (V) | Maximum Continuous DC Collector Current - (A) | Typical Input Resistance - (kOhm) | Tuning Ratio Test Condition | Test Current - (mA) | Peak Non-Repetitive Forward Surge Current - (A) | Maximum Series Resistance @ Maximum IF - (Ohm) | Maximum Forward Voltage - (V) | Maximum Drain-Source Voltage - (V) | Maximum Base-Emitter Voltage - (V) | Maximum Base-Emitter Saturation Voltage - (V) | Typical Resistor Ratio | Repetitive Peak Reverse Voltage - (V) | Peak Reverse Current - (uA) | Maximum Reverse Leakage Current - (uA) | Maximum Gate Peak Inverse Voltage - (V) | Maximum Gate-Source Voltage - (V) | Maximum DC Collector Current - (A) | Peak On-State Voltage - (V) | Operational Bias Conditions | Minimum Diode Capacitance - (pF) | Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | Minimum DC Current Gain | Maximum Zener Impedance - (Ohm) | Maximum Power Dissipation @ 25C - (mW) | Maximum Diode Capacitance - (pF) | Maximum Continuous Drain Current - (A) | Rated Average On-State Current - (A) | Peak Reverse Recovery Time - (ns) | Minimum DC Current Gain Range | Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | RMS On-State Current - (A) | Repetitive Peak Off-State Current - (mA) | Maximum Junction Ambient Thermal Resistance | Frequency Band | Maximum Junction Case Thermal Resistance | Typical Input Capacitance - (pF) | Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | Maximum Transition Frequency - (MHz) | Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage - (V) | Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | Maximum Output Power - (W) | Typical Output Capacitance - (pF) | Maximum Power Dissipation - (mW) | Maximum Frequency - (MHz) | Maximum Drain-Source Resistance - (Ohm) | Typical Power Gain - (dB) | Typical 3rd Order Intercept Point - (dBm) | Maximum Noise Figure - (dB) | Maximum Turn-On Time - (ns) | Typical Drain-Source Resistance @ 25°C - (mOhm) | Process Technology | Packaging | Pin Count | Supplier Package | Standard Package Name | CECC Qualified | ESD Protection | Military | AEC Qualified | AEC Qualified Number | Auto motive | P PAP | ECCN Code | SVHC | SVHC Exceeds Threshold |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TK9A90E,S4X(S
Trans MOSFET N-CH Si 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
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Existencias
20
Desde $1.62 hasta $3.34
Por unidad
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | Single | N | Enhancement | 1 | 900 | ±30 | 4 | 9 | 46@10V | 46 | 2000@25V | 50000 | 1300@10V | Tube | 3 | TO-220SIS | TO | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CMH04(T2L,TEM,Q)
Diode Switching 200V 1A 2-Pin M-FLAT T/R
|
Existencias
76
Desde $0.0612 hasta $0.0699
Por unidad
|
Toshiba | Rectifiers | Switching Diode | Single | 200 | 1@Ta=26C | 20 | 0.98 | 10 | 35 | Tape and Reel | 2 | M-FLAT | No | Unknown | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SSM3K347R,LF
Trans MOSFET N-CH Si 38V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R
|
Existencias
2
$0.0632
Por unidad
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | Single | N | Enhancement | 1 | 38 | ±20 | 2 | 2.5@10V | 2.5 | 86@10V | 2000 | 340@10V | Tape and Reel | 3 | SOT-23F | SOT | No | Yes | AEC-Q101 | Yes | Unknown | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TK7R0E08QM,S1X
Trans MOSFET N-CH Si 80V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
|
Existencias
150
$0.4368
Por unidad
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | Single | N | Enhancement | 1 | 80 | ±20 | 3.5 | 64 | 24@6V|39@10V | 39 | 2700@40V | 87000 | 7@10V | U-MOS X-H | Tube | 3 | TO-220 | TO | No | No | No | No | EAR99 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TPN2R203NC,L1Q
Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R
|
Existencias
230,000
$0.2036
Por unidad
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | Single Quad Drain Triple Source | N | Enhancement | 1 | 30 | ±20 | 100 | 34@10V | 34 | 2230@15V | 1900 | 2.2@10V | Tape and Reel | 8 | TSON EP Advance | SON | No | No | No | No | No | EAR99 | Yes | Yes | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TPN8R903NL,LQ
Trans MOSFET N-CH Si 30V 37A 8-Pin TSON Advance T/R
|
Existencias
2,312
Desde $0.2558 hasta $0.1621
Por unidad
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | Single Quad Drain Triple Source | N | Enhancement | 1 | 30 | ±20 | 2.3 | 37 | 4.4@4.5V|9.8@10V | 9.8 | 630@15V | 1900 | 8.9@10V | Tape and Reel | 8 | TSON Advance | SON | No | No | No | No | EAR99 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SC5200N(S1,E,S)
Trans GP BJT NPN 230V 15A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine
|
Existencias
12
Desde $1.68 hasta $2.63
Por unidad
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Toshiba | GP BJT | NPN | Bipolar Power | Si | Single | 230 | 230 | 1 | 5 | 15 | 80@1A@5V|35@7A@5V | 30 to 50|50 to 120 | 0.83 | 3@0.8A@8A | 200 | 150000 | Magazine | 3 | TO-3PN | TO | No | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
TTA1452B,S4X
Trans GP BJT PNP 80V 12A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
|
Existencias
250
$1.3521
Por unidad
|
Toshiba | GP BJT | PNP | Bipolar Power | Si | Single | 80 | 80 | 1 | 6 | 1.2@0.3A@6A | 12 | 120@1A@1V|40@6A@1V | 30 to 50|50 to 120|120 to 200 | 0.4@0.3A@6A | 2000 | Magazine | 3 | TO-220SIS | TO | No | No | No | No | EAR99 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CRS10I30E,LQ(O Schottky Barrier Diode |
Existencias
2,900
Desde $0.0659 hasta $0.155
Por unidad
|
Toshiba | Rectifiers | 2 | S-FLAT | No | No | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
TPN13008NH,L1Q(M
Trans MOSFET N-CH Si 80V 40A 8-Pin TSON Advance T/R
|
Existencias
2,675
Desde $0.2461 hasta $0.266
Por unidad
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | Single Quad Drain Triple Source | N | Enhancement | 1 | 80 | ±20 | 4 | 40 | 18@10V | 18 | 1230@40V | 1900 | 13.3@10V | Tape and Reel | 8 | TSON Advance | SON | No | No | No | No | No | EAR99 | Yes | Yes | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RN1104MFV,L3F
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VESM T/R Automotive AEC-Q101
|
Existencias
711
$0.0138
Por unidad
|
Toshiba | BJT digital | NPN | Single | 50 | 0.1 | 47 | 1 | 80@10mA@5V | 0.3@0.5mA@5mA | 150 | Tape and Reel | 3 | VESM | SOT | No | No | Yes | AEC-Q101 | Yes | Unknown | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CSLZ6V8,L3F | 6.8V ZNR DIODE SOD-962 OVP
Diode Zener Single 6.8V 6% 400mW 2-Pin SL T/R
|
Existencias
7,340
Desde $0.0086 hasta $0.0817
Por unidad
|
Toshiba | Zener | Voltage Regulator | Single | 6.8 | 6% | 5 | 0.5 | 30 | 400 | 400 | Tape and Reel | 2 | SL | SOD | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1SS190(TE85L,F)
Diode Switching 85V 0.1A 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101
|
Existencias
778
Desde $0.0435 hasta $0.102
Por unidad
|
Toshiba | Rectifiers | Switching Diode | Single | 85 | 0.1 | 2 | 1.2@0.1A | 0.5 | 4 | 150 | Tape and Reel | 3 | S-Mini | SOT | No | No | Yes | AEC-Q101 | Yes | Unknown | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SSM3K16FU,LF
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin USM T/R Automotive AEC-Q101
|
Existencias
87
Desde $0.0407 hasta $0.1296
Por unidad
|
Toshiba | MOSFETs | Small Signal | Si | Single | N | Enhancement | 1 | 20 | ±10 | 0.1 | 9.3@3V | 150 | 3000@4V | Tape and Reel | 3 | USM | No | Yes | AEC-Q101 | Yes | Unknown | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RN1902,LF(CT
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 6-Pin US T/R Automotive AEC-Q101
|
Existencias
9,000
Desde $0.048 hasta $0.0638
Por unidad
|
Toshiba | BJT digital | NPN | Dual | 50 | 0.1 | 10 | 1 | 50@10mA@5V | 0.3@0.25mA@5mA | 200 | Tape and Reel | 6 | US | No | No | Yes | AEC-Q101 | Yes | Unknown | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
TPCC8104,L1Q(CM
Trans MOSFET P-CH Si 30V 20A 8-Pin TSON EP Advance T/R
|
Existencias
1,848
Desde $0.221 hasta $0.423
Por unidad
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | Single Quad Drain Triple Source | P | Enhancement | 1 | 30 | 20 | 20 | 58@10V | 2260@10V | 1900 | 8.8@10V | Tape and Reel | 8 | TSON EP Advance | SON | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1SS427,L3M(T
Diode Switching Si 85V 0.2A 2-Pin SOD-923 T/R
|
Existencias
1,754
Desde $0.0373 hasta $0.102
Por unidad
|
Toshiba | Rectifiers | Switching Diode | Si | Single | 85 | 0.2 | 1 | 1.2@0.1A | 0.5@80V | 0.3(Typ) | 1600(Typ) | 150 | Tape and Reel | 2 | SOD-923 | SOD | No | No | No | No | No | EAR99 | No | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
TK25A60X,S5X
Trans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
|
Existencias
187
$1.655
Por unidad
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | Single | N | Enhancement | 1 | 600 | ±30 | 3.5 | 25 | 40@10V | 40 | 2400@300V | 45000 | 125@10V | Tube | 3 | TO-220SIS | TO | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TRS8E65H,S1Q
Diode Schottky SiC 650V 23A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Stick
|
Existencias
87
$1.461
Por unidad
|
Toshiba | Rectifiers | Schottky Diode | SiC | Single | 650 | 23 | 410 | 1.35@8A | 90 | 75000 | Stick | 2 | TO-220 | TO | No | No | No | No | EAR99 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
SSM3K37MFV,L3F(T
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
|
Existencias
7,718
Desde $0.0406 hasta $0.128
Por unidad
|
Toshiba | MOSFETs | Small Signal | Si | Single | N | Enhancement | 1 | 20 | ±10 | 1 | 0.25 | 12@10V | 150 | 2200@4.5V | 3 | VESM | SOT | No | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ305TE85LF
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.2A 3-Pin S-Mini T/R
|
Existencias
4,940
Desde $0.215 hasta $0.596
Por unidad
|
Toshiba | MOSFETs | Small Signal | Si | Single | P | Enhancement | 1 | 30 | ±20 | 0.2 | 92@3V | 200 | 4000@2.5V | Tape and Reel | 3 | S-Mini | SOT | No | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TK16G60W,RVQ(S
Trans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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Existencias
1,000
Desde $0.993 hasta $2.94
Por unidad
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | Single | N | Enhancement | 1 | 600 | ±30 | 15.8 | 38@10V | 38 | 1350@300V | 130000 | 190@10V | 3 | D2PAK | TO | No | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SSM3K15ACT,L3F(T
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST T/R
|
Existencias
7,455
$1.11
Por unidad
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Toshiba | MOSFETs | Small Signal | Si | Single | N | Enhancement | 1 | 30 | ±20 | 1.5 | 0.1 | 13.5@3V | 100 | 3600@4V | Tape and Reel | 3 | CST | No | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TK7P60W5,RVQ
Trans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
|
Existencias
1,900
$0.5919
Por unidad
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | Single | N | Enhancement | 1 | 600 | ±30 | 4.5 | 7 | 16@10V | 16 | 490@300V | 60000 | 670@10V | Tape and Reel | 3 | DPAK | TO | No | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SSM6K514NU,LF(T
Trans MOSFET N-CH Si 40V 12A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN-B EP T/R
|
Existencias
2,990
Desde $0.138 hasta $0.181
Por unidad
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | Single Quad Drain | N | Enhancement | 1 | 40 | ±20 | 12 | 7.5@4.5V | 1110@20V | 2500 | 11.6@10V | Tape and Reel | 6 | UDFN-B EP | DFN | No | Yes | AEC-Q101 | Yes | Unknown | EAR99 | No |