Infineon Technologies AG Diodes, Transistors and Thyristors
8,154 Infineon Technologies AG Diodes, Transistors and Thyristors
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| Nº de referencia | Precio | Existencias | Fabricante | Categoría | Type | Technology | Number of SCRs/Diodes | Maximum Rate of Rise of Off-State Voltage - (V/us) | Maximum Breakover Voltage - (V) | Category | Bridge Type | Surge Current Rating - (A) | Material | Diode Type | Configuration | Channel Type | Maximum Reverse Voltage - (V) | Maximum Rate of Rise of On-State Current - (A/us) | Channel Mode | Peak Reverse Repetitive Voltage - (V) | Maximum Gate Trigger Voltage - (V) | Maximum Gate Emitter Voltage - (V) | Maximum Collector-Emitter Voltage - (V) | Peak Average Forward Current - (A) | Maximum Reverse Current - (uA) | Maximum Gate Trigger Current - (mA) | Maximum Continuous Forward Current - (A) | Maximum Collector-Base Voltage - (V) | Repetitive Peak Forward Blocking Voltage - (V) | Peak RMS Reverse Voltage - (V) | Number of Elements per Chip | Mode of Operation | Minimum Tuning Ratio | Maximum Holding Current - (mA) | Maximum Continuous DC Collector Current - (A) | Typical Input Resistance - (kOhm) | Tuning Ratio Test Condition | Peak Non-Repetitive Forward Surge Current - (A) | Maximum Series Resistance @ Maximum IF - (Ohm) | Maximum Forward Voltage - (V) | Maximum Drain-Source Voltage - (V) | Maximum Base-Emitter Voltage - (V) | Maximum Base-Emitter Saturation Voltage - (V) | Typical Resistor Ratio | Repetitive Peak Reverse Voltage - (V) | Peak Reverse Current - (uA) | Maximum Series Resistance @ Minimum IF - (Ohm) | Maximum Reverse Leakage Current - (uA) | Maximum Gate-Source Voltage - (V) | Maximum DC Collector Current - (A) | Peak On-State Voltage - (V) | Operational Bias Conditions | Minimum Diode Capacitance - (pF) | Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | Minimum DC Current Gain | Maximum Diode Capacitance - (pF) | Maximum Continuous Drain Current - (A) | Rated Average On-State Current - (A) | Peak Reverse Recovery Time - (ns) | Minimum DC Current Gain Range | Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | RMS On-State Current - (A) | Repetitive Peak Off-State Current - (mA) | Maximum Junction Ambient Thermal Resistance | Frequency Band | Maximum Junction Case Thermal Resistance | Typical Input Capacitance - (pF) | Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | Maximum Transition Frequency - (MHz) | Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage - (V) | Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | Maximum Output Power - (W) | Typical Output Capacitance - (pF) | Maximum Power Dissipation - (mW) | Minimum Frequency - (MHz) | Maximum Power 1dB Compression - (dBm) | Maximum Frequency - (MHz) | Maximum Drain-Source Resistance - (Ohm) | Typical Power Gain - (dB) | Typical 3rd Order Intercept Point - (dBm) | Maximum Noise Figure - (dB) | Typical Drain-Source Resistance @ 25°C - (mOhm) | Process Technology | Packaging | Rad Hard | Pin Count | Supplier Package | Standard Package Name | CECC Qualified | ESD Protection | ESCC Qualified | Military | AEC Qualified | AEC Qualified Number | Auto motive | P PAP | ECCN Code | SVHC | SVHC Exceeds Threshold |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FP50R12KT4GBOSA1
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 280W 35-Pin ECONO3-3 Tray
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Existencias
9
$75.05
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | Módulos IGBT | Hex | N | ±20 | 1200 | 50 | 280 | Tray | 35 | ECONO3-3 | No | Unknown | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Más Compradas
BSC600N25NS3GATMA1
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
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Existencias
52,855
Desde $1.518 hasta $2.391
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | Single Quad Drain Triple Source | N | Enhancement | 1 | 250 | ±20 | 4 | 25 | 22@10V | 22 | 1770@100V | 125000 | 60@10V | 50@10V | Tape and Reel | 8 | TDSON EP | SON | No | Unknown | No | No | No | No | EAR99 | Yes | Yes | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Más Buscadas
IRLML6402TRPBF
Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
|
Existencias
1,804
Desde $0.162 hasta $0.211
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | Si | Single | P | Enhancement | 1 | 20 | ±12 | 1.2 | 3.7 | 8@5V | 100 | 633@10V | 145 | 1300 | 65@4.5V | 80@2.5V|50@4.5V | Tape and Reel | 3 | SOT-23 | SOT | No | Yes | No | No | No | No | EAR99 | Yes | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Más Compradas
BAS4004E6327HTSA1
Diode Schottky Si 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
|
Existencias
69,970
$0.146
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | Rectifiers | Schottky Diode | Si | Dual Series | 0.12 | 0.2 | 1@0.04A | 1@30V | 5 | 250 | Tape and Reel | 3 | SOT-23 | SOT | No | Yes | No | Yes | AEC-Q101 | Yes | Unknown | EAR99 | No | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DDB6U50N16W1RPB11BPSA1 Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 26-Pin Tray |
Existencias
300
$6.704
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | Módulos IGBT | Single | N | ±20 | 1200 | 50 | Tray | 26 | No | No | No | No | EAR99 | Yes | Yes | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IDWD100E120D7XKSA1
Diode Switching 1.2KV 146A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
|
Existencias
192
Desde $2.2471 hasta $1.1346
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | Rectifiers | 2 | TO-247 | TO | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ISC058N04NM5ATMA1
Trans MOSFET N-CH 40V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
|
Existencias
10,000
$0.2748
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | Single Quad Drain Triple Source | N | Enhancement | 1 | 40 | 20 | 17 | 12@10V | 12 | 870@20V | 3000 | 5.8@10V | Tape and Reel | 8 | TDSON EP | SON | No | No | No | No | EAR99 | Yes | Yes | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BSS119NH6327XTSA1
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
|
Existencias
201,254
Desde $0.0546 hasta $0.2546
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Small Signal | Single | N | Enhancement | 1 | 100 | ±20 | 2.3 | 0.19 | 0.6@10V | 250 | 0.6 | 15.7@25V | 3.4 | 500 | 6000@10V | 2406@10V|2915@4.5V | Tape and Reel | 3 | SOT-23 | SOT | No | Yes | No | Yes | AEC-Q101 | Yes | Unknown | EAR99 | No | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPP023N08N5AKSA1
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
|
Existencias
1,304
$0.6288
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | Single | N | Enhancement | 1 | 80 | 20 | 3.8 | 120 | 133@10V | 62 | 0.5 | 133 | 9300@40V | 300000 | 2.3@10V | 2@10V|2.4@6V | Tube | 3 | TO-220 | TO | No | Unknown | No | Unknown | Yes | Unknown | EAR99 | Yes | Yes | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPP040N06N3GXKSA1
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
|
Existencias
2,120
Desde $0.6838 hasta $1.6798
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | Single | N | Enhancement | 1 | 60 | ±20 | 4 | 90 | 98@10V | 98 | 8000@30V | 188000 | 4@10V | 3@10V|3.3@10V | Tube | 3 | TO-220 | TO | No | Unknown | No | No | No | No | EAR99 | No | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TT820N16KOFHPSA1
SCR Module 1600V 1050A(RMS) 24800A 7-Pin Tray
|
Existencias
2
$313.00
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | SCR Modules | 2SCRs | 1000 | 200 | 2 | 250 | 1600 | 300 | 1600 | 1.27@1500A | 820 | 1050 | 120 | Tray | 7 | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB65R310CFDATMA1
Trans MOSFET N-CH 650V 11.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
|
Existencias
1,000
Desde $0.9744 hasta $0.6187
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | Single | N | Enhancement | 1 | 650 | 20 | 11.4 | 41@10V | 41 | 1100@100V | 104200 | 310@10V | Tape and Reel | 3 | D2PAK | TO | No | No | Yes | AEC-Q101 | Yes | Unknown | EAR99 | Yes | Yes | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPA60R125CFD7XKSA1
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
|
Existencias
478
Desde $2.016 hasta $3.80
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | Single | N | Enhancement | 1 | 600 | 20 | 4.5 | 11 | 36@10V | 36 | 1503@400V | 32000 | 125@10V | 104@10V | Tube | 3 | TO-220FP | TO | No | No | No | No | EAR99 | No | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPA65R600E6XKSA1
Trans MOSFET N-CH 650V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
|
Existencias
20
Desde $1.25 hasta $2.33
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | Single | N | Enhancement | 1 | 650 | 20 | 3.5 | 7.3 | 23@10V | 80 | 4.5 | 23 | 440@100V | 28000 | 600@10V | 540@10V | Tube | 3 | TO-220FP | TO | No | Unknown | No | No | No | No | EAR99 | No | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IDD08SG60CXTMA2
Diode Schottky SiC 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
|
Existencias
1,948
Desde $2.59 hasta $4.28
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | Rectifiers | Schottky Diode | SiC | Single | 600 | 8 | 42 | 2.1 | 70 | 240(Typ) | 100000 | Tape and Reel | 3 | DPAK | TO | No | No | No | No | EAR99 | No | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB100N12S305ATMA1
Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
|
Existencias
638
Desde $2.27 hasta $4.33
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | Single | N | Enhancement | 1 | 120 | ±20 | 4 | 100 | 139@10V | 0.5 | 139 | 8900@25V | 300000 | 4.8@10V | 4@10V|4.3@10V | Tape and Reel | 3 | D2PAK | TO | No | No | Yes | AEC-Q101 | Yes | Unknown | EAR99 | Yes | Yes | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPDQ60R037CM8XTMA1
Trans MOSFET N-CH 600V 65A 22-Pin HDSOP EP T/R
|
Existencias
700
Desde $3.7794 hasta $2.639
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | Single Ten Source Eleven Drain | N | Enhancement | 1 | 600 | 20 | 65 | 79@10V | 3459@400V | 338000 | 37@10V | 22 | HDSOP EP | SO | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFR2405TRPBF
Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
|
Existencias
16,396
Desde $0.5047 hasta $1.8315
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | Si | Single | N | Enhancement | 1 | 55 | ±20 | 56 | 70@10V | 70 | 2430@25V | 110000 | 16@10V | Tape and Reel | 3 | DPAK | TO | No | Unknown | No | No | No | No | EAR99 | Yes | Yes | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPDQ65R018CM8XTMA1
Trans MOSFET N-CH 650V 127A 22-Pin HDSOP EP T/R
|
Existencias
750
Desde $7.502 hasta $9.739
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | Single Ten Source Eleven Drain | N | Enhancement | 1 | 650 | 20 | 127 | 173@10V | 173 | 8290@400V | 625000 | 18@10V | Tape and Reel | 22 | HDSOP EP | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFI4410ZPBF
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
|
Existencias
472
Desde $1.37 hasta $2.66
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | Single | N | Enhancement | 1 | 100 | ±30 | 4 | 43 | 81@10V | 81 | 4910@50V | 47000 | 9.3@10V | 7.9@10V | Tube | 3 | TO-220AB Full-Pak | TO | No | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IGP10N60TXKSA1
Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
|
Existencias
150
Desde $0.742 hasta $1.67
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | Chip IGBT | Single | N | ±20 | 600 | 24 | 110 | Tube | 3 | TO-220AB | TO | No | No | No | No | No | EAR99 | No | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IKW50N60TFKSA1
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
|
Existencias
8,694
Desde $2.305 hasta $5.40
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | Chip IGBT | Single | N | ±20 | 600 | 80 | 333 | Tube | 3 | TO-247 | TO | No | Unknown | No | Unknown | Yes | Unknown | EAR99 | No | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IGP40N65H5XKSA1
Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
|
Existencias
290
Desde $1.52 hasta $3.11
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | Chip IGBT | Single | N | ±20 | 650 | 74 | 250 | Tube | 3 | TO-220 | TO | Unknown | No | No | No | No | EAR99 | No | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPF042N10NF2SATMA1
Trans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
|
Existencias
800
Desde $0.6972 hasta $1.9972
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | Single Quint Source | N | Enhancement | 1 | 100 | 20 | 21 | 57@10V | 57 | 4000@50V | 3800 | 4.25@10V | Tape and Reel | 8 | D2PAK | TO | No | Unknown | Yes | Unknown | EAR99 | Yes | Yes | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPD90P04P4L04ATMA2
Trans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
|
Existencias
7,500
Desde $0.7803 hasta $1.6413
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | Single | P | Enhancement | 1 | 40 | 5 | 2.2 | 90 | 135@10V | 1.2 | 135 | 8900@25V | 125000 | 4.3@10V | 3 | DPAK | TO | No | Yes | AEC-Q101 | Yes | Unknown | EAR99 | Yes | Yes |