Infineon Technologies AG Diodos, transistores y tiristores
8,160 Infineon Technologies AG Diodos, transistores y tiristores
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| Nº de referencia | Precio | Existencias | Fabricante | Categoría | Type | Technology | Number of SCRs/Diodes | Maximum Breakover Voltage - (V) | Category | Maximum Rate of Rise of On-State Current - (A/us) | Maximum Rate of Rise of Off-State Voltage - (V/us) | Material | Frequency Band | Channel Type | Repetitive Peak Off-State Current - (mA) | Configuration | Channel Mode | Peak Reverse Repetitive Voltage - (V) | Maximum Reverse Voltage - (V) | Maximum Gate Trigger Voltage - (V) | Maximum Gate Emitter Voltage - (V) | Maximum Collector-Emitter Voltage - (V) | Surge Current Rating - (A) | Peak Average Forward Current - (A) | Number of Elements per Chip | Maximum Reverse Current - (uA) | Maximum Gate Trigger Current - (mA) | Maximum Continuous Forward Current - (mA) | Maximum Collector-Base Voltage - (V) | Mode of Operation | Minimum Tuning Ratio | Maximum Holding Current - (mA) | Maximum Base-Emitter Voltage - (V) | Typical Input Resistance - (kOhm) | Tuning Ratio Test Condition | Peak Non-Repetitive Forward Surge Current - (A) | Maximum Series Resistance @ Maximum IF - (Ohm) | Maximum Forward Voltage - (V) | Maximum Drain-Source Voltage - (V) | Maximum Base-Emitter Saturation Voltage - (V) | Typical Resistor Ratio | Repetitive Peak Reverse Voltage - (V) | Peak Reverse Current - (uA) | Minimum Quality Factor | Maximum Series Resistance @ Minimum IF - (Ohm) | Maximum Reverse Leakage Current - (uA) | Maximum Gate-Source Voltage - (V) | Maximum DC Collector Current - (A) | Maximum Continuous DC Collector Current - (A) | Operational Bias Conditions | Minimum Diode Capacitance - (pF) | Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | Peak On-State Voltage - (V) | Maximum Diode Capacitance - (pF) | Maximum Continuous Drain Current - (A) | Typical Carrier Life Time - (us) | Repetitive Peak Forward Blocking Voltage - (V) | Peak Reverse Recovery Time - (ns) | Minimum DC Current Gain Range | Minimum DC Current Gain | Maximum Drain-Source Resistance - (mOhm) | Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | Rated Average On-State Current - (A) | Maximum Junction Ambient Thermal Resistance | RMS On-State Current - (A) | Maximum Junction Case Thermal Resistance | Typical Input Capacitance - (pF) | Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | Maximum Power Dissipation - (mW) | Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage - (V) | Typical Output Capacitance - (pF) | Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | Minimum Frequency - (MHz) | Maximum Output Power - (W) | Maximum Power 1dB Compression - (dBm) | Typical Power Gain - (dB) | Typical 3rd Order Intercept Point - (dBm) | Maximum Transition Frequency - (MHz) | Maximum Noise Figure - (dB) | Typical Drain-Source Resistance @ 25°C - (mOhm) | Process Technology | Packaging | Rad Hard | Pin Count | Supplier Package | Standard Package Name | CECC Qualified | ESD Protection | ESCC Qualified | Military | AEC Qualified | AEC Qualified Number | Auto motive | P PAP | ECCN Code | SVHC | SVHC Exceeds Threshold |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
F1225R12KT4GBOSA1
Trans IGBT Module N-CH 1200V 25A 160W 38-Pin ECONO3-4 Tray
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Existencias
10
$96.79
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | Módulos IGBT | N | Array 12 | ±20 | 1200 | 25 | 160 | Tray | 38 | ECONO3-4 | No | Unknown | No | No | No | No | EAR99 | Yes | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FP35R12KT4BOSA1
Trans IGBT Module N-CH 1200V 35A 210W 23-Pin ECONO2-4
|
Existencias
3
$64.60
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | Módulos IGBT | N | Hex | ±20 | 1200 | 35 | 210 | 23 | ECONO2-4 | No | Unknown | No | No | No | No | EAR99 | Yes | Yes | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Más Buscadas
BCR198WH6327XTSA1
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
|
Existencias
139
Desde $0.0394 hasta $0.0414
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | BJT digital | PNP | Single | 50 | 47 | 1 | 0.1 | 70@5mA@5V | 250 | 0.3@0.5mA@10mA | Tape and Reel | 3 | SOT-323 | SOT | No | No | Yes | AEC-Q101 | Yes | Unknown | EAR99 | No | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Más Buscadas
BAR6405E6327HTSA1
Diode PIN Attenuator/Switch 150V 100mA Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
|
Existencias
1
$0.0223
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | PIN | Attenuator|Switch | HF|MF|SHF|UHF|VHF | Dual Common Cathode | 150 | 100 | 1.35@100mA | 1.1@50mA | 20@1mA | 0.35@20V | 1.55 | 250 | Tape and Reel | 3 | SOT-23 | SOT | No | Unknown | No | Yes | AEC-Q101 | Yes | Unknown | EAR99 | No | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Más Compradas
IRLML2246TRPBF
Trans MOSFET P-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
|
Existencias
39
Desde $0.08 hasta $0.2752
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | P | Single | Enhancement | 1 | 20 | ±12 | 2.6 | 135@4.5V | 2.9@4.5V | 1300 | 220@16V | Tape and Reel | 3 | SOT-23 | SOT | No | Unknown | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Más Buscadas
BFP420H6327XTSA1
Trans RF BJT NPN 4.5V 0.06A 210mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101
|
Existencias
3,000
$0.1895
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | BJT RF | NPN | Si | Single Dual Emitter | 4.5 | 1 | 15 | 1.5 | 0.06 | 2V/20mA | 50 to 120 | 60@20mA@4V | 210 | 0.15 | 12(Typ) | 21 | 22 | 25000(Typ) | 1.1(Typ) | Tape and Reel | 4 | SOT-343 | SOT | No | Yes | No | Yes | AEC-Q101 | Yes | Unknown | EAR99 | No | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Más Buscadas
BFR380FH6327XTSA1
Trans RF BJT NPN 6V 0.08A 380mW 3-Pin TSFP T/R Automotive AEC-Q101
|
Existencias
29,660
Desde $0.103 hasta $0.149
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | BJT RF | NPN | Si | Single | 6 | 1 | 15 | 2 | 0.08 | 3V/40mA | 50 to 120 | 90@40mA@3V | 1 | 380 | 0.5 | 19.5(Typ) | 13.5 | 29 | 14000(Typ) | 1.6(Typ) | Tape and Reel | 3 | TSFP | No | No | Yes | AEC-Q101 | Yes | Unknown | EAR99 | No | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Más Buscadas
FF300R12KS4HOSA1
Trans IGBT Module N-CH 1200V 370A 1950W 7-Pin 62MM-1 Tray
|
Existencias
74
$158.2477
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | Módulos IGBT | N | Dual | ±20 | 1200 | 370 | 1950 | Tray | 7 | 62MM-1 | No | No | No | No | No | EAR99 | No | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF2903ZSPBF
Trans MOSFET N-CH Si 30V 235A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
|
Existencias
6
$1.605
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 30 | ±20 | 235 | 2.4@10V | 160@10V | 160 | 231000 | 6320@25V | 1.9@10V | Tube | 3 | D2PAK | TO | No | Unknown | No | No | No | No | EAR99 | Yes | Yes | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
DD171N18KHPSA1
Diode 1.8KV 171A 3-Pin PB34-1 Tray
|
Existencias
1
$136.63
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | Rectifiers | Dual Series | 1800 | 171 | 6600 | 1.26@500A | 20000 | Tray | 3 | PB34-1 | Unknown | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Más Buscadas
BFS17WH6327XTSA1
Trans RF BJT NPN 15V 0.025A 280mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
|
Existencias
1
$0.0512
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | BJT RF | NPN | Si | Single | 15 | 1 | 25 | 2.5 | 0.025 | 5V/20mA | 2 to 30|30 to 50 | 40@2mA@1V|20@25mA@1V | 0.9 | 280 | 0.4@1mA@10mA | 0.55 | 11(Typ) | 14 | 22.5 | 2500(Typ) | 5 | Tape and Reel | 3 | SOT-323 | SOT | No | Yes | No | Yes | AEC-Q101 | Yes | Unknown | EAR99 | No | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Más Buscadas
BCR08PNH6327XTSA1
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
|
Existencias
18,000
Desde $0.0689 hasta $0.141
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | BJT digital | PNP|NPN | Dual | 50 | 2.2 | 0.047 | 0.1 | 70@5mA@5V | 250 | 0.3@0.5mA@10mA | Tape and Reel | 6 | SOT-363 | SOT | No | No | Yes | AEC-Q101 | Yes | Unknown | EAR99 | No | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Más Compradas
IRL6372TRPBF
Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC T/R
|
Existencias
2,838
Desde $0.2453 hasta $0.3281
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | N | Dual Dual Drain | Enhancement | 2 | 30 | ±12 | 8.1 | 17.9@4.5V | 11@4.5V | 62.5 | 2000 | 1020@25V | 14@4.5V|17@2.5V | Tape and Reel | 8 | SOIC | SO | No | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPI80N03S4L03AKSA1
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube Automotive AEC-Q101
|
Existencias
442
$0.5201
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | N | Single | Enhancement | 1 | 30 | ±16 | 80 | 2.7@10V | 110@10V | 110 | 136000 | 7500@25V | 2@10V|2.3@10V|2.5@4.5V|2.8@4.5V | Tube | 3 | TO-262 | TO | No | No | Yes | AEC-Q101 | Yes | Unknown | EAR99 | Yes | Yes | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Más Buscadas
IRF7309TRPBF
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
|
Existencias
52,000
Desde $0.2401 hasta $0.2474
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | N|P | Dual Dual Drain | Enhancement | 2 | 30 | ±20 | 1 | 4@N Channel|3@P Channel | 50@10V@N Channel|100@10V@P Channel | 25(Max)@4.5V | 1400 | 520@15V@N Channel|440@15V@P Channel | Tape and Reel | 8 | SOIC | SO | No | Unknown | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPZ60R037P7XKSA1
Trans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
|
Existencias
42
$3.118
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | N | Single Dual Source | Enhancement | 1 | 600 | 20 | 4 | 76 | 37@10V | 121@10V | 121 | 255000 | 5243@400V | 4 | TO-247 | TO | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPI076N12N3GAKSA1
Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
|
Existencias
800
Desde $1.3272 hasta $2.9263
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | N | Single | Enhancement | 1 | 120 | ±20 | 4 | 100 | 7.6@10V | 76@10V | 76 | 188000 | 4990@60V | 6.5@10V | Tube | 3 | TO-262 | TO | No | No | Unknown | Yes | Unknown | EAR99 | Yes | Yes | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPD65R660CFDAATMA1
Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
|
Existencias
2,500
$0.6551
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | N | Single | Enhancement | 1 | 650 | 20 | 4.5 | 6 | 660@10V | 20@10V | 62 | 2 | 20 | 62500 | 543@100V | 594@10V | Tape and Reel | 3 | DPAK | TO | No | Unknown | No | Yes | AEC-Q101 | Yes | Unknown | EAR99 | Yes | Yes | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Más Compradas
IGW50N65F5FKSA1
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
|
Existencias
3,880
Desde $1.6177 hasta $4.4763
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | Chip IGBT | N | Single | ±20 | 650 | 80 | 305 | Tube | 3 | TO-247 | TO | No | No | No | No | No | EAR99 | No | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
DD540N26KHPSA1
Diode 2.6KV 540A 3-Pin PB60-1 Tray
|
Existencias
2
$370.00
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | Rectifiers | Dual Series | 2600 | 540 | 16500 | 1.48@1700A | 40000 | Tray | 3 | PB60-1 | No | No | No | No | EAR99 | No | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FP10R06W1E3BOMA1
IGBT Power Module
|
Existencias
23
Desde $31.40 hasta $32.00
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | Módulos IGBT | 600 | Tray | 15 | EASY1B-1 | No | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPP65R600C6XKSA1
Trans MOSFET N-CH 700V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
|
Existencias
332
$0.4473
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | N | Single | Enhancement | 1 | 700 | 20 | 7.3 | 600@10V | 23@10V | 23 | 63000 | 440@100V | CoolMOS | Tube | 3 | TO-220 | TO | No | No | No | No | No | EAR99 | No | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Más Buscadas
BFP450H6327XTSA1
Trans RF BJT NPN 4.5V 0.17A 500mW 4-Pin SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101
|
Existencias
4,098
Desde $0.2432 hasta $0.519
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | BJT RF | NPN | Si | Single Dual Emitter | 4.5 | 1 | 15 | 1.5 | 0.17 | 3V/90mA | 50 to 120 | 60@50mA@4V|50@90mA@3V | 1.7 | 500 | 0.48 | 19(Typ) | 35.5 | 31 | 24000(Typ) | 2.05(Typ) | Tape and Reel | Unknown | 4 | SOT-343 | SOT | No | Yes | No | Yes | AEC-Q101 | Yes | Unknown | EAR99 | No | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
DD435N34KHPSA1
Rectifier Diode
|
Existencias
2
$397.00
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | Rectifiers | Dual Series | 3400 | Tray | 3 | PB60-1 | Unknown | No | No | No | No | EAR99 | No | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Más Compradas
BFR93AE6327HTSA1
Trans RF BJT NPN 12V 0.09A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
|
Existencias
1,684
Desde $0.1218 hasta $0.2595
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | BJT RF | NPN | Si | Single | 12 | 1 | 20 | 2 | 0.09 | 8V/30mA | 50 to 120 | 70@30mA@8V | 1.9 | 300 | 0.54 | 6(Typ) | 14.5 | 15 | 6000(Typ) | 2.6(Typ) | Tape and Reel | 3 | SOT-23 | SOT | No | Yes | No | Yes | AEC-Q101 | Yes | Unknown | EAR99 | No | No |