Product Technical Specifications
RoHS (Union Européenne)
Compliant
ECCN (États-Unis)
EAR99
Statut de pièce
Active
Code HTS
8541.29.00.55
Automotive
No
PPAP
No
Catégorie
Power MOSFET
Matériau
Si
Configuration
Single Quad Drain Triple Source
Mode canal
Enhancement
Type de canal
N
Nombre d'éléments par puce
1
Tension drain-source maximale (V)
30
Tension minimale de source barrière (V)
±20
Tension seuil de barrière maximale (V)
2.1
Courant de drain continu maximal (A)
393
Courant de fuite maximal de source de barrière (nA)
100
IDSS maximal (uA)
10
Résistance maximale de source de drainage (mOhm)
0.65@10V
Charge de barrière type @ Vgs (nC)
52@4.5V|110@10V
Charge de barrière type @ 10V (nC)
110
Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)
7700@15V
Dissipation de puissance maximale (mW)
3000
Temps de descente type (ns)
10
Temps de montée type (ns)
12
Température de fonctionnement minimale (°C)
-55
Température de fonctionnement maximale (°C)
175
Installation
Surface Mount
Hauteur du paquet
0.95
Largeur du paquet
5
Longueur du paquet
5
Carte électronique changée
8
Nom de lemballage standard
SO
Conditionnement du fournisseur
SOP Advance
Décompte de broches
8
Order Quantity