Product Technical Specifications
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.55
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single Quad Drain Triple Source
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
80
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
16.1
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
8.4@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
19.6@7.5V|26@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
26
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
1666@40V
Max. Leistungsaufnahme (mW)
5000
Typische Abfallzeit (ns)
6|7
Typische Anstiegszeit (ns)
6|7
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
19|18
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
12|14
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Verpackung
Tape and Reel
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
1.07(Max)
Verpackungsbreite
5.89
Verpackungslänge
4.9
Leiterplatte geändert
8
Standard-Verpackungsname
SO
Lieferantenverpackung
PowerPAK SO EP
Stiftanzahl
8
Order Quantity