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DRAM Chip

NT5CC256M16EP-EK

DRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.35V 96-Pin VFBGA

Nanya Technology
Datasheets 

Product Technical Specifications
  • RoHS (Union Européenne)
    Compliant
  • ECCN (États-Unis)
    EAR99
  • Statut de pièce
    Unconfirmed
  • Code HTS
    8542.32.00.36
  • Automotive
    Unknown
  • PPAP
    Unknown
  • Type
    DDR3L SDRAM
  • Densité (bit)
    4G
  • Organisation
    256Mx16
  • Nombre de banques internes
    8
  • Nombre de mots par banque
    32M
  • Nombre de bits par mot (bit)
    16
  • Largeur du bus de données (bit)
    16
  • Fréquence d'horloge maximale (MHz)
    1866
  • Temps maximal d'accès (ns)
    20
  • Largeur de Bus d'adresse (bit)
    18
  • Technologie de traitement
    20nm
  • Type d'interface
    SSTL_135
  • Tension d'alimentation minimale en fonctionnement (V)
    1.283
  • Tension d'alimentation maximale en fonctionnement (V)
    1.45
  • Courant de fonctionnement maximal (mA)
    130
  • Température de fonctionnement minimale (°C)
    0
  • Température de fonctionnement maximale (°C)
    95
  • Échelle de température du fournisseur
    Commercial
  • Nombre de lignes E/S (bit)
    16
  • Installation
    Surface Mount
  • Hauteur du paquet
    0.8(Max)
  • Largeur du paquet
    8
  • Longueur du paquet
    13
  • Carte électronique changée
    96
  • Nom de lemballage standard
    BGA
  • Conditionnement du fournisseur
    VFBGA
  • Décompte de broches
    96

Documentation and Resources

Datasheets
Design resources