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DRAM Chip

IS43TR85120BL-125KBLI-TR

DRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 512Mx8 1.35V 78-Pin TW-BGA T/R

Integrated Silicon Solution Inc
Datasheets 

Product Technical Specifications
  • RoHS (Union Européenne)
    Compliant
  • ECCN (États-Unis)
    EAR99
  • Statut de pièce
    Active
  • Code HTS
    8542.32.00.36
  • Automotive
    No
  • PPAP
    No
  • Type
    DDR3L SDRAM
  • Densité (bit)
    4G
  • Organisation
    512Mx8
  • Nombre de banques internes
    8
  • Nombre de mots par banque
    64M
  • Nombre de bits par mot (bit)
    8
  • Largeur du bus de données (bit)
    8
  • Fréquence d'horloge maximale (MHz)
    1600
  • Temps maximal d'accès (ns)
    0.225
  • Largeur de Bus d'adresse (bit)
    19
  • Tension d'alimentation minimale en fonctionnement (V)
    1.283
  • Tension d'alimentation maximale en fonctionnement (V)
    1.45
  • Courant de fonctionnement maximal (mA)
    167
  • Température de fonctionnement minimale (°C)
    -40
  • Température de fonctionnement maximale (°C)
    95
  • Échelle de température du fournisseur
    Industrial
  • Nombre de lignes E/S (bit)
    8
  • Emballage
    Tape and Reel
  • Installation
    Surface Mount
  • Hauteur du paquet
    1(Max)
  • Largeur du paquet
    8
  • Longueur du paquet
    10.5
  • Carte électronique changée
    78
  • Nom de lemballage standard
    BGA
  • Conditionnement du fournisseur
    TW-BGA
  • Décompte de broches
    78

Documentation and Resources

Datasheets
Design resources