DRAM Chip

IS43TR16512BL-125KBLI

DRAM Chip DDR3L SDRAM 8Gbit 512Mx16 1.35V 96-Pin TW-BGA

Integrated Silicon Solution Inc

Product Technical Specifications

• RoHS (Union Européenne)

  Compliant

• ECCN (États-Unis)

  EAR99

• Statut de pièce

  Active

• Code HTS

  8542.32.00.36

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Type

  DDR3L SDRAM

• Densité (bit)

  8G

• Organisation

  512Mx16

• Nombre de banques internes

  8

• Nombre de mots par banque

  64M

• Nombre de bits par mot (bit)

  16

• Largeur du bus de données (bit)

  16

• Fréquence d'horloge maximale (MHz)

  1600

• Temps maximal d'accès (ns)

  0.225

• Largeur de Bus d'adresse (bit)

  19

• Tension d'alimentation minimale en fonctionnement (V)

  1.283

• Tension d'alimentation maximale en fonctionnement (V)

  1.45

• Courant de fonctionnement maximal (mA)

  198

• Température de fonctionnement minimale (°C)

  -40

• Température de fonctionnement maximale (°C)

  95

• Échelle de température du fournisseur

  Industrial

• Nombre de lignes E/S (bit)

  16

• Installation

  Surface Mount

• Hauteur du paquet

  1(Max)

• Largeur du paquet

  10

• Longueur du paquet

  14

• Carte électronique changée

  96

• Nom de lemballage standard

  BGA

• Conditionnement du fournisseur

  TW-BGA

• Décompte de broches

  96

• Forme de sonde

  Ball