DRAM Chip

IS43QR16256B-083RBL

DRAM Chip DDR4 SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.2V 96-Pin TW-BGA

Integrated Silicon Solution Inc

Product Technical Specifications

• RoHS EU

  Compliant

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Active

• HTS

  8542.32.00.36

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Typ

  DDR4 SDRAM

• Dichte (bit)

  4G

• Organisation

  256Mx16

• Zahl der internen Banken

  8

• Anzahl der Worte pro Bank

  32M

• Anzahl der Bits pro Wort (bit)

  16

• Datenbusbreite (bit)

  16

• Max. Taktfrequenz (MHz)

  2400

• Max. Zugriffzeit (ns)

  0.175

• Adressbusbreite (bit)

  17

• Schnittstellenart

  POD

• Mindestbetriebsspannung (V)

  1.14

• Max. Betriebsversorgungsspannung (V)

  1.26

• Max. Betriebsstrom (mA)

  365

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  0

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  95

• Temperaturbereich Lieferant

  Commercial

• Anzahl der E/A-Leitungen (bit)

  16

• Befestigung

  Surface Mount

• Verpackungshöhe

  1(Max)

• Verpackungsbreite

  7.5

• Verpackungslänge

  13.5

• Leiterplatte geändert

  96

• Standard-Verpackungsname

  BGA

• Lieferantenverpackung

  TW-BGA

• Stiftanzahl

  96