Product Technical Specifications
RoHS EU
Compliant with Exemption
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.55
SVHC
Yes
SVHC überschreitet Schwellenwert
Yes
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Material
Si
Konfiguration
Single
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
55
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±16
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
3
Operating Junction Temperature (°C)
-55 to 175
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
61
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
200
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
20
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
14@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
61@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
61
Typische Gate-Drain-Ladung (nC)
17
Typische Gate-Source-Ladung (nC)
9
Typische Umkehr-Erholungsladung (nC)
110
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
1870@25V
Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF)
74@25V
Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V)
1
Typische Ausgangskapazität (pF)
2380
Max. Leistungsaufnahme (mW)
120000
Typische Abfallzeit (ns)
100
Typische Anstiegszeit (ns)
51
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
83
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
7.4
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
175
Verpackung
Tape and Reel
Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)
12@10V|14@5V
Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A)
240
Max. thermischer Widerstand, Sperrschichtumgebung auf Leiterplatte (°C/W)
50
Typische Gate-Plateau-Spannung (V)
2.8
Typische Sperrerholungszeit (ns)
62
Max. Dioden-Durchlassspannung (V)
1.3
Max. positive Gate-Source-Spannung (V)
16
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
2.29
Verpackungsbreite
6.1
Verpackungslänge
6.54
Leiterplatte geändert
2
Tab
Tab
Standard-Verpackungsname
TO
Lieferantenverpackung
DPAK
Stiftanzahl
3
Leitungsform
Gull-wing
Order Quantity