Product Technical Specifications
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Obsolete
HTS
COMPONENTS
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single Dual Drain
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
P
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
100
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Operating Junction Temperature (°C)
-55 to 175
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
0.7
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
1200@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
8.7(Max)@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
8.7(Max)
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
200@25V
Max. Leistungsaufnahme (mW)
1300
Typische Abfallzeit (ns)
17
Typische Anstiegszeit (ns)
27
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
15
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
10
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
175
Befestigung
Through Hole
Verpackungshöhe
3.37(Max)
Verpackungsbreite
6.29(Max)
Verpackungslänge
5(Max)
Leiterplatte geändert
4
Standard-Verpackungsname
DIP
Lieferantenverpackung
HVMDIP
Stiftanzahl
4
Leitungsform
Through Hole